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在2021年12月時索尼公布全球首款兩層晶體管像素的堆疊式CMOS圖像傳感器 ， 實現了飽和信號水平近乎翻倍 ， 到了近日索尼索尼半導體第二研究部門的Keiichi Nakazawa進一步解析新傳感器制造細節 。
按照索尼解析 ， 兩層晶體管像素的堆疊式CMOS圖像傳感器是把在一片襯底上的光電二極管和像素晶體管分離到不同襯底上 ， 這樣光電二極管表面積能夠翻倍 ， 能夠接收到更多光線 ， 讓飽和信號水平大約增加了一倍 ， 結果就是大幅度改善動態范圍與噪聲（噪點）表現 。 為了把光電二極管和像素晶體管所在兩片襯底連接在一起 ， 索尼使用了新技術 。 按照Keiichi Nakazawa說法 ， 因為傳感器的像素非常小 ， 光電二極管和像素晶體管對準精度達到了納米級 ， 因此使用了一項名為為3D順序集成的工藝技術 ， 會在生產過程中直接襯底連接在一起 ， 而不是像傳統那樣 ， 在生產完芯片后再連接在一起 。 同時索尼使用新的連接結構 ， 讓耐熱性從傳統400℃提升到1000℃ 。
【傳感器|索尼透露新堆棧CMOS傳感器細節 新工藝制造】按照索尼說法 ， 兩層晶體管像素的堆疊式CMOS圖像傳感器能夠在不增加手機傳感器尺寸下提升畫質 ， 不過考慮整合DRAM堆棧式CMOS傳感器在手機市場尚未普及 ， 同時手機市場越發擠牙膏 ， 手機用上新堆棧傳感器恐怕是猴年馬月的事情了 。
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