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gen.g戰隊|關于2nm芯片，英特爾傳來量產時間，比臺積電還早( 二 )

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英特爾搶先臺積電量產2nm ， 可能嗎？僅從技術迭代的角度來看 ， 英特爾目前距離2nm大概相差6代工藝 ， 分別包括7nm、6nm、5nm、4nm、3nm、2nm 。

每一代工藝的技術迭代如果最快用1年時間來完成 ， 英特爾也需要6年時間 。 6年已經遠遠超過了2024年量產2nm芯片的時間規劃了 ， 所以英特爾可能會采用非常規的制程命名方式 ， 來實現自己認為的2nm芯片量產 。
我們常說的7nm ， 5nm等工藝命名方式 ， 其實是芯片制造商通過晶體管密度 ， 工藝升級程度等方式來命名的 ， 并沒有統一規定的界限標準 。 就好比三星的4nm工藝良率和臺積電差了許多 ， 卻還是能稱作4nm 。
同樣的道理 ， 如果英特爾能按照自己的工藝生產方式 ， 去重新劃分界限 ， 只要達到了自己認為所接近的目標 ， 且工藝性能都相較主流不差的話 ， 在英特爾看來 ， 就是實現了2nm芯片的量產 。

否則用常規的發展方式 ， 細分到每一代的工藝良率 ， 英特爾是絕對不可能在三四年內量產出2nm的 。
有人說英特爾的10nm已經堪比臺積電的7nm ， 而提供的數據支撐是英特爾10nm工藝芯片每平方毫米晶體管密度為100.8億 ， 臺積電7nm的每平方晶體管密度是96.5億 。 晶體管密度越大 ， 可容納的晶體管數量也就越多 ， 從而發揮出更出色的芯片性能 。

若以此來分析 ， 英特爾的確只需要按照自己的工藝規劃 ， 用自己的芯片命名方式量產出堪比2nm制程的芯片 ， 也能達到目標 。
但以上分析更多的是基于理論 ， 客觀實際而言 ， 英特爾需要面臨產業鏈的發展支持 ， 良率的支撐 ， 以及芯片技術人才的儲備等等一系列難題 。 除非解決所有的問題 ， 或者奇跡發生 ， 否則不太可能實現目標 。
你認為英特爾能如期量產出自己認為的2nm嗎？

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