拼多多|三星陷入良率困境，3nm的GAA工藝，成了翻身機會微博

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三星在2017年前，在芯片代工領域，其實是排第四名的，臺積電、格芯、聯電都比三星強。
后來三星在2017年時提了一個目標，那就是要超過格芯、聯電、臺積電，未來要成為全球芯片代工的第一名。
在2018年時，三星成功地超過了格芯、聯電，排名全球第二，然后三星的目標只有一個，那就是超過臺積電。

但時至今日，三星與臺積電的差距還是相當大的，按照2021Q4的數據，臺積電的份額為53% ，而三星只有17% ，臺積電份額約為三星的3倍。
事實上，三星這幾年一直在努力，特別是在5nm、4nm時更是鉚足了勁，還拉攏了高通，意欲與臺積電爭霸一下。
不過，或許因為三星太急于成功了，所以在4nm時陷入了良率困境，按照媒體的說法，三星4nm良率僅為35% ，而臺積電可達到70% ，是三星的兩倍。

而良率低會造成什么樣的后果？那就是產能太低，成本過高， 35%的率良，意味著生產100塊晶圓，其中只有35塊是正常的，另外的65塊用不得。
所以三星晶圓代工的主要客戶正在流失，比如高通，就決定將驍龍8 Gen1訂單轉向臺積電生產，后續3nm芯片也全量委托給臺積電……

對于三星而言，目前GAA技術的3nm工藝，成為了三星翻身的機會了，如果GAA工藝的3nm表現不給力，那么三星將很難超直臺積電，如果GAA工藝表現給力，那還是有機會的。
GAA技術真的這么大的魅力？還真的有，詳細的技術參數，我多說，我只簡單地講一下，大家就會明白了。
所有的芯片，都要進行通電，然后進行運算，而芯片由幾十上百億晶體管構成，而耗電分為兩個部分。

一部分是運算本身產生的耗電，叫動態功耗。另外一部分則是CMOS晶體管各種泄露電流產生的靜態功耗（又稱漏電流功耗）。別小看了漏電，在芯片中，這個漏電功耗其實比動態功耗更大。
而GAA技術，相比于之前的FinFET技術，加到晶體管上的電壓變小，這樣導致漏電功率也變小。而功耗變小后，這樣芯片的發熱會變得更小，芯片的效率更高，性能更棒。
所以如果三星真的在GAA技術下的3nm上表現給力，那么生產出來的芯片，功耗小、發熱少，你覺得客戶會不會選擇？畢竟臺積電還在使用FinFET ，技術是真的不如GAA技術的。

【拼多多|三星陷入良率困境，3nm的GAA工藝，成了翻身機會】