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【芯片|激動人心，國產高速充電芯片突破并量產，手機進入光速秒充時代】
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隨著中美科技戰打響 ， 幾乎在一夜之間 ， 中國半導體產業發展現況就被一下子擺到了臺面上 ， 有數據顯示 ， 2018年中國芯片消費量就已經占到了全球的33% ， 而根據2020年IC Insights發布的數據顯示 ， 中國大陸IC產量僅占全球的15.9% 。
眾所周知 ， 我國是智能手機生產大國 ， 對不同功能芯片的需求量是非常大的 ， 由于我國半導體技術起步得比較晚 ， 也導致了一些制程不是很高的芯片依然要受制于人 ， 就比如電源管理芯片在我國需求量就非常大 ， 只要涉及到有電能存儲的智能設備 ， 都會用到此類芯片 ， 我國早期智能手機上的電源管理芯片都是依賴于進口的 ， 但是隨著某些國家貿易保護抬頭 ， 我國隨之也掀起了一股半導體自主研發熱潮 ， 以減少核心芯片受制于人的局面 。
其中最為耀眼的要數上海南芯半導體科技 ， 早在2016年就成功研發了業界上第一顆支持Type-C Power Delivery協議的升降壓充放電芯片SC8801 ， 一度解決了提升移動電源輸出效率難題 ， 并成功量產 ， 幾年時間南芯多個型號的電源管理芯片成功進入到智能設備供應鏈 ， 比如華為、OPPO、三星、海翼和欣旺達等知名廠商 。
2021年 ， 南芯又推了出手機界功率最大和效率最高的單芯片120W超高壓電荷泵充電芯片SC8571 ， 這也是目前在智能手機上唯一單芯片可以支持到120W的充電芯片 ， 根據南芯提供的資料顯示 ， 如果采用2顆SC8571并聯方案功率最高可以達到160W ， 如果采用3顆SC8571并聯 ， 則可以實現最高200W的充電功率 。
根據南芯最新消息 ， 國產手機“真我 GT Neo 3” 就搭載了南芯半導體 SC8571 超高壓電荷泵快充芯片 ， 這也是世界上首款充電速度最快的智能手機 。
那么 ， 這款搭載有南芯超高壓電荷泵快充芯片的GT Neo 3 ， 充電效率表現到底如何呢？根據realme官網顯示 ， 真我 GT Neo3充電部分是基于UDCA架構 ， 擁有雙電荷泵芯片并聯技術 ， 充電轉化率高達98% ， 充電5分鐘就可以達到50%的電量 ， 13~15分鐘即可滿電 ， 極大的縮短了充電等待時間 ， 有效的解決了用戶續航焦慮 。
除此之外 ， 真我 GT Neo3還配有獨立的充電控制芯片 ， 支持電壓檢測和異常一鍵斷電、電池壽命保護等38道安全防護 。
說到真我 GT Neo 3 ， 小編在這里有必要多一嘴 ， 因為昨天我發了篇關于“真我 GT Neo 3”的微頭條 ， 居然有人不知道這是什么品牌 。
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