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臺積電|想趕超臺積電！三星3nm制程工藝即將量產(chǎn)：低良品率問題已解決

三星臺積電

臺積電|想趕超臺積電！三星3nm制程工藝即將量產(chǎn)：低良品率問題已解決

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5月13日消息 ， 此前外界有傳言稱 ， 三星3nm制程工藝遭遇難題 ， 良品率僅有20%~30% ， 可能會拖延量產(chǎn)的進(jìn)程 。 今天 ， 電子時報最新報道顯示 ， 三星3nm制程的良品率問題已得到解決 ， 將按照計劃在第二季度開始量產(chǎn) 。
【臺積電|想趕超臺積電！三星3nm制程工藝即將量產(chǎn)：低良品率問題已解決】
三星在一季度的電話會議上就曾向股東們承諾 ， 3nm制程會按照計劃進(jìn)行 ， 以此來消除股東們對網(wǎng)上傳言產(chǎn)生的疑慮和擔(dān)憂 。 三星表示 ， 目前5nm制程已進(jìn)入批量生產(chǎn)的成熟階段 ， 4nm制程產(chǎn)能也在逐步改善 。 公司內(nèi)部還在改善3nm制程的節(jié)點開發(fā)體系 ， 每個開發(fā)階段都有一個驗證流程 ， 這有助于縮短產(chǎn)能爬坡期 。
3nm制程是臺積電與三星都在激烈競爭的一個新節(jié)點 ， 也將帶給半導(dǎo)體芯片行業(yè)又一次性能上的飛躍 。 目前 ， 臺積電的3nm制程依舊使用FinFET晶體管技術(shù) ， 而三星則相對激進(jìn)一些 ， 全球首發(fā)更加先進(jìn)的GAA晶體管技術(shù) ， 希望以此來追趕甚至超越臺積電 。

三星介紹稱 ， GAA是一種新型環(huán)繞柵極晶體管 ， 可顯著增強晶體管的性能 。 與7nm制程相比 ， 3nm GAA制程的邏輯面積效率提高45% ， 功耗降低50% ， 性能提高約35% ， 紙面數(shù)據(jù)是要強于臺積電3nm FinFET工藝 。 如果三星3nm GAA工藝的表現(xiàn)能達(dá)到理想水平 ， 功耗、產(chǎn)能問題都能得到妥善解決 ， 那真的有機會一舉追上臺積電 。
在芯片代工市場 ， 三星和臺積電已經(jīng)是多年的老對手了 。 一直以來 ， 臺積電都領(lǐng)先三星一頭 ， 特別是在7nm、5nm等先進(jìn)工藝時代 ， 臺積電的優(yōu)勢更為明顯 ， 幾乎壟斷了全球先進(jìn)工藝的產(chǎn)能 ， 高通、AMD、聯(lián)發(fā)科等都與臺積電達(dá)成合作 ， 蘋果更是成為臺積電的最大客戶 。 按照計劃 ， 臺積電3nm工藝會在今年第四季度量產(chǎn) ， 而英特爾可能會拿下首發(fā) 。
由于7nm、5nm工藝上的失利 ， 三星決定押寶更先進(jìn)的3nm GAA制程工藝 。 不僅比臺積電更早進(jìn)行技術(shù)研發(fā) ， 連量產(chǎn)日期也比臺積電早半年左右 。 前陣子有消息稱 ， 高通、AMD等品牌已經(jīng)與三星達(dá)成合作 ， 很可能會首發(fā)3nm制程工藝 。 希望三星這次能帶給大家更多驚喜 ， 在3nm制程上一鳴驚人吧 。

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