值得一提的是 , 在彎道超車過程中 , 長(zhǎng)江存儲(chǔ)還自主研發(fā)了Xtacking架構(gòu) 。 在2021年底 , 長(zhǎng)江存儲(chǔ)還宣布 , 基于該架構(gòu)閃存的晶圓鍵合工藝步驟良率達(dá)到99.999% 。 可以看出 , 雖然國(guó)際大廠給國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商留下的生存空間不大 , 但中國(guó)企業(yè)依然按照自己的步調(diào)強(qiáng)勢(shì)崛起 。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)迅速崛起的原因
得益于起步早、有基礎(chǔ)等因素的影響 , 包括三星電子、SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等海外大廠長(zhǎng)期掌握著存儲(chǔ)芯片的核心技術(shù) 。 為了防止競(jìng)爭(zhēng)者取代自己的位置 , 在一段時(shí)間內(nèi)一些國(guó)際巨頭還對(duì)中國(guó)市場(chǎng)實(shí)施了技術(shù)和產(chǎn)品封鎖 。
直到2021年 , 全球NANDFlash品牌廠商營(yíng)收排行榜顯示 , 三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光以及英特爾六大巨頭仍牢牢掌控著97.9%的市場(chǎng)份額 。 就連全球市場(chǎng)都被外資掌控 , 更何況是相對(duì)落后的中國(guó)市場(chǎng) , 所以外資企業(yè)留給中國(guó)存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)的生存空間幾乎可以忽略不計(jì) 。
然而 , 隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展 , 各行各業(yè)都在走向智能化 , 電子設(shè)備領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)芯片的需求不斷增長(zhǎng) 。 看到越來越多的市場(chǎng)紅利 , 越來越多的市場(chǎng)需求 , 中國(guó)企業(yè)如果仍舊止步不前 , 那么就徹底失去在整個(gè)電子設(shè)備行業(yè)的自主權(quán) 。
因此在國(guó)家的大力支持下 , 國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出一批又一批中國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商 , 而長(zhǎng)江存儲(chǔ)就是其中的先鋒力量之一 。 并且長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的xtacking技術(shù)非常先進(jìn) 。 該技術(shù)可為3DNAND芯片帶來更高的性能和存儲(chǔ)密度 , 為長(zhǎng)江存儲(chǔ)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的發(fā)展實(shí)現(xiàn)質(zhì)的突破 。
顯然 , 在長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)企業(yè)的不懈努力下 , 中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)成功打破了韓美壟斷 。 如今無論是芯片類型還是產(chǎn)能 , 都已經(jīng)進(jìn)入了“快車道” 。 可以看出 , 我國(guó)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的龍頭企業(yè) , 都已經(jīng)具備了推動(dòng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化和替代的實(shí)力 。
但從技術(shù)層面來看 , 中國(guó)企業(yè)的沉淀時(shí)間還不夠長(zhǎng);從市場(chǎng)份額來看 , 中國(guó)企業(yè)與國(guó)際巨頭仍有較大差距 。 而且 , 在現(xiàn)階段復(fù)雜的國(guó)際環(huán)境下 , 國(guó)內(nèi)還需要隨時(shí)警惕海外對(duì)中國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)實(shí)施更嚴(yán)密的技術(shù)或設(shè)備封鎖的風(fēng)險(xiǎn) 。 總之 , 包括國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在內(nèi)的整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要想實(shí)現(xiàn)獨(dú)立 , 還有很長(zhǎng)的路要走 。
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