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主板|朗科絕影RGB DDR4-4266內(nèi)存評測：國產(chǎn)內(nèi)存顆粒達(dá)到的新高度( 二 )

cpu主板評測






朗科絕影RGB內(nèi)存的靈感來自中國古代良駒 ， 首先絕影這個(gè)名字就是來自于三國時(shí)期曹操的坐騎 ， 并且這款電鍍銀外觀的版本 ， 更是類似給這匹戰(zhàn)馬披上了銀甲 。 散熱片材料采用的是0.8mm 5052鋁材 ， 經(jīng)沖壓工藝一體成型 ， 再使用電鍍銀工藝處理 。

【主板|朗科絕影RGBDDR4-4266內(nèi)存評測：國產(chǎn)內(nèi)存顆粒達(dá)到的新高度】絕影RGB DDR4內(nèi)存的規(guī)格貼在散熱器的左下角 ， 這套是DDR4-4266 8GB*2套裝 ， 時(shí)序是18-22-22-42 ， 工作電壓1.35V 。

現(xiàn)在CPU-Z已經(jīng)可以識(shí)別出這套朗科絕影RGB電鍍版內(nèi)存用的是國產(chǎn)長鑫的內(nèi)存顆粒 ， 是8GB的單面內(nèi)存 ， 生產(chǎn)時(shí)間是22年16周 ，內(nèi)存的默認(rèn)頻率是2133MHz ， 時(shí)序是15-15-15-36 ， XMP時(shí)序有兩套 ， 兩套時(shí)序都是4266MHz的 ， 工作電壓1.35V ， 一套時(shí)序是19-26-26-46 ， 另一套時(shí)序則是18-22-22-42 ， 提供兩套時(shí)序估計(jì)是要提供更好的平臺(tái)兼容性 ， 較低那套時(shí)序確實(shí)對平臺(tái)要求挺高的 。



拆掉散熱片后內(nèi)存是這樣的 ， 采用8層PCB ， 單面設(shè)計(jì) ， 另一面是沒有內(nèi)存顆粒的 ， 而且那邊用膠粘得很死 ， 所以就不拆了 。 絕影RGB內(nèi)存有芯片的那一面是有用導(dǎo)熱膠墊貼合的 ， 可把內(nèi)存顆粒工作時(shí)的熱量傳遞到散熱片上 ， 背面也有導(dǎo)熱膠墊 ， 也有一定的輔助散熱作用 。
內(nèi)存經(jīng)由嚴(yán)苛篩選的顆粒打造 ， 內(nèi)存顆粒是國產(chǎn)長鑫19nm A-Die顆粒 ， 單顆容量8Gb ， 默認(rèn)的速率是2133Mbps ， 現(xiàn)在開XMP后能到4266Mbps ， 朗科內(nèi)存實(shí)驗(yàn)室通過與主流主板廠商的深度合作 ， 針對國產(chǎn)長鑫顆粒在不同頻率段多次調(diào)試/驗(yàn)證 ， 這套內(nèi)存還有一定的超頻能力 ， 當(dāng)主流主板廠商解開國產(chǎn)長鑫顆粒的超頻限制問題后 ， 不僅僅是朗科內(nèi)存產(chǎn)品 ， 所有使用長鑫顆粒的內(nèi)存條品牌都將同步受益 。
PCB上DRAM上面的那顆芯片是ENE 6K5830UA0微控制器 ， 提供RGB燈效同步控制能力 ， 8顆LED燈珠位于內(nèi)存的背面 。
內(nèi)存燈光展示



絕影RGB內(nèi)存采用8顆高亮度RGB LED燈珠 ， 為了避免亮度和燈距造成的燈光斷層問題影響視覺效果 ， 內(nèi)存經(jīng)過多次調(diào)試導(dǎo)光材料成分并進(jìn)行測試 ， 以達(dá)到內(nèi)存燈效在亮度和柔和度上的平衡 ， 使其保持良好的視覺柔光效果 。
此外內(nèi)存散熱片鏤空設(shè)計(jì)也讓絕影RGB內(nèi)存有一個(gè)比較奇特的燈光效果 ， 就是內(nèi)存中部散熱片的鏤空間隙也會(huì)有燈光流露出來 ， 當(dāng)然這里的燈就沒有頂部導(dǎo)光帶那么明顯了 ， 光線比較弱 ， 不認(rèn)真看的話可能會(huì)被忽略 。
內(nèi)存超頻測試本次測試平臺(tái)使用Core i9-12900K處理器和華碩ROG STRIX Z690-A GAMING WIFI D4主板 。





默認(rèn)狀態(tài)內(nèi)存頻率是2133MHz ， 內(nèi)存讀寫速度在31000~35000MB/s之間 ， 內(nèi)存延遲83.8ns；這套內(nèi)存有兩套XMP時(shí)序 ， 均是4266MHz ， 所以兩個(gè)XMP檔位的內(nèi)存帶寬基本是一樣的 ， 讀寫速度在61000~68000MB/s之間 ， CL19的延遲是74.6ns ， 而CL18的延遲是70.5ns 。 用CL18那套XMP能不改時(shí)序把內(nèi)存頻率超到4400MHz ， 但內(nèi)存電壓要加到1.4V；這內(nèi)存最高達(dá)到的頻率是4600MHz ， 能通過測試的時(shí)序是19-21-21-46 ， 內(nèi)存讀寫速度在66000~70000MB/s之間 ， 內(nèi)存延遲67ns ， 此時(shí)除了要把內(nèi)存電壓加到1.4V外 ， CPU SA和VDDQ電壓也需要加到1.35V 。
上述測試除了默認(rèn)的2133MHz是在Gear 1模式測出來之外 ， 其他全都是在Gear 2模式下得出的 ， 目前12代酷睿處理器能跑4266MHz Gear 1的只有極少的大雕可以 ， 更高的頻率想跑Gear 1就更別想了 。

但朗科絕影RGB DDR4-4266 8GB*2跑4600MHz時(shí)用19-21-21-46這時(shí)序是過不了穩(wěn)定性測試的 ， 要把時(shí)序增加至19-26-26-46才能通過Memtest ， 延遲會(huì)增加到70.5ns 。

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