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筆記本|比游戲本原配內(nèi)存強(qiáng)——英睿達(dá)DDR5 4800 筆記本內(nèi)存測試

酷睿處理器三星游戲本筆記本

筆記本|比游戲本原配內(nèi)存強(qiáng)——英睿達(dá)DDR5 4800 筆記本內(nèi)存測試

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隨著第12代酷睿Alder Lake系列、AMD銳龍6000系列移動處理器的廣泛采用 ， 越來越多的筆記本電腦開始采用DDR5筆記本內(nèi)存 。 因此為了幫助筆記本電腦獲得更好的性能或者更大的容量 ， 內(nèi)存廠商也開始推出DDR5 SO-DIMM筆記本內(nèi)存新品 ， 如本次將要測試的這款英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存16GB套裝產(chǎn)品 。
與標(biāo)準(zhǔn)的桌面型DDR5內(nèi)存相比 ， DDR5 SO-DIMM筆記本內(nèi)存要小不少 ， 其長寬分別只有約69.6mm、30mm 。 而桌面版的DDR5內(nèi)存 ， 哪怕是采用矮版設(shè)計 ， 沒有設(shè)計RGB導(dǎo)光條 ， 一般長寬也能分別達(dá)到133mm、35mm 。 本次測試的英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存16GB套裝由兩條單根容量為8GB的內(nèi)存組成 ， 每根內(nèi)存采用單面4顆粒設(shè)計 ， 這也是市面上比較少見 ， 顆粒數(shù)相當(dāng)少的內(nèi)存產(chǎn)品 ， 也就是說每顆顆粒的容量為2GB 。
得益于DDR5內(nèi)存技術(shù) ， DDR5 SO-DIMM內(nèi)存的顆粒容量更大 ， 存儲密度大幅度提升 。 而此前我們測試的一款DDR4 SO-DIMM內(nèi)存雖然采用了雙面8顆粒設(shè)計 ， 內(nèi)存顆粒數(shù)量達(dá)到8顆 ， 但其單根容量只有8GB ， 每顆顆粒的容量為1GB 。
再就是DDR5在電壓方面的改進(jìn) ， 電壓降低至1.1V ， 這使得DDR5內(nèi)存擁有相比DDR4內(nèi)存相對更高的效率和更低的功耗 ， 畢竟DDR4 SO-DIMM內(nèi)存的工作電壓也需要1.2V 。 與DDR4內(nèi)存相比 ， DDR5內(nèi)存在電路設(shè)計上也有重大變化 ， 將內(nèi)存的電源管理集成電路（PMIC）從主板轉(zhuǎn)移到了DDR5內(nèi)存上 ， 因此英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存也配備了品質(zhì)可靠的電源管理集成電路 ， 確保為內(nèi)存的各個元件提供充沛的“動力” 。 該內(nèi)存的PMIC電源管理集成電路在內(nèi)存中部的頂端 ， 可以精準(zhǔn)地將來自主板的5V電壓降壓輸出給內(nèi)存使用或按用戶設(shè)定的電壓工作 。

▲英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存中部的頂端配備了PMIC電源管理集成電路 。
此外DDR5 SO-DIMM內(nèi)存也同樣加入了On-die Ecc糾錯功能 ， 可以發(fā)現(xiàn)和糾正出現(xiàn)在內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯誤 ， 在DDR5內(nèi)存達(dá)到較高頻率的同時 ， 確保工作穩(wěn)定性與數(shù)據(jù)完整性 。
作為美光的消費(fèi)級品牌 ， 英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存理所當(dāng)然地選用了來自美光原廠 ， 編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內(nèi)存顆粒 。 其產(chǎn)品編號為MT60B1G16HC-48B， 工作溫度在0℃～95℃范圍內(nèi) 。 根據(jù)《微型計算機(jī)》評測室的測試結(jié)果 ， 美光DDR5內(nèi)存顆粒一般可以穩(wěn)定超頻到DDR5 5600 ， 所以讓它僅僅穩(wěn)定工作在DDR5 4800是毫無問題的 。

▲英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存選用了來自美光原廠 ， 編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內(nèi)存顆粒 。
考慮到筆記本電腦BIOS沒有太多的調(diào)節(jié)項目 ， 因此這款內(nèi)存具備自動設(shè)置頻率、延遲的能力 。 用戶無須任何設(shè)置 ， 只要將內(nèi)存插入內(nèi)存插槽 ， 內(nèi)存頻率就能自動提升到最高頻率 ， 即DDR5 4800并自動使用最優(yōu)延遲的能力 。 其在DDR5 4800下的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲參數(shù)僅為40-39-39-76 ， 與其他游戲本使用的DDR5內(nèi)存規(guī)格相當(dāng) 。 如華碩天選3酷睿版游戲本搭載的16GB（8GB×2）三星DDR5 4800筆記本內(nèi)存采用的延遲設(shè)置也是40-39-39-76 ， 那么英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存是否有什么優(yōu)勢呢？接下來我們在華碩天選3酷睿版游戲本上進(jìn)行了測試 。

▲英睿達(dá)DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存的CL、tRCD、tRP、tRAS四大主要延遲參數(shù)僅為40-39-39-76 。

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