比如之前美國有一位工程師就曾經提到過 ， 為了打造EUV光刻機上的一個零部件 ， 他反反復復打造了近10年時間 ， 才生產出符合EUV光刻機要求的零部件 。
對于其他零部件來說也是一樣的道理 ， 很多零部件都需要經過長時間的研究 ， 不斷地打磨才能夠生產出符合頂尖光刻機要求的產品 ， 最終把所有優秀的零部件組合在一起 ， 才能形成一個頂尖的EUV光刻機 。
所以決定光刻機制造水平并不是我們最擅長的技術 ， 而是我們最短板的技術 ， 如果某一個技術短板沒法解決 ， 將會影響整個光刻機的研發進程 。
第三、頂尖光刻機一些核心零部件我們尚不掌握技術 。 前面我也提到了 ， 一臺頂尖EUV光刻機由幾萬個零部件構成 ， 這里面有很多核心零部件 ， 其中最重要的兩個零部件包括鏡頭以及光源 ， 這兩個零部件直接決定著光刻機的水平 。
而目前真正能夠生產出符合EUV光刻機要求鏡頭的只有德國蔡司一家 ， 能夠生產復合EUV光刻機光源的只有美國的cymer(目前已經被ASML收購) 。
這里面不論是鏡頭還是光源技術 ， 要求都非常高 ， 其中鏡頭表面要求非常平整 ， 至于這個技術有多高 ， 我們無法用言語來形容 。
但我們可以舉一個簡單的例子 ， 假如把EUV光刻機的鏡頭當作德國的面積 ， 那么整個面積最高凸起的地方不能超過一厘米 ， 大家自己想象一下難度有多大 。
與此同時 ， EUV光刻機的光源必須保證功率足夠大 ， 能夠持續輸出穩和強大的光源 ， 這樣才能減少誤差 ， 提高精度 。
也正因為EUV光刻機要求非常高 ， 所以目前我們暫時不具備獨立生產EUV光刻機的能力 ， 這也是為什么過去十幾年我國一直在研究發光刻機 ， 但一直沒有實現太大技術突破的重要原因 。
目前我國已經量產的最先進光刻機只有90納米 ， 這跟ASML7納米光刻機差距非常大 ， 雖然目前上海微電子已經研發出28納米的光刻機 ， 但截至目前仍然沒有量產 ， 還在處于試產階段 。
【微軟|中國突破EUV光刻機關鍵技術，ASML地位不穩？別盲目高興】所以大家必須清醒地認識到目前我國光刻機跟國際先進水平的差距 ， 只有認識到這種差距才能不斷的去彌補差距 ， 不要因為某一個技術的突破就覺得我們可以跟國際頂尖水平相互抗衡了 ， 至少從短期來看不太現實 。
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