美國這下也好了，雖然把日本的光刻機技術給打壓了，沒想到ASML又起來了，而自己過得技術也還是個弟弟水平 。美國也擔心中國的發(fā)展，后來拉攏全世界發(fā)達國家整了一個瓦森納協(xié)定，內容大概是禁止出售高尖端設備給中國，真的是小肚雞腸美利堅 。光刻機的能提供光刻工藝所需的曝光光源，將光刻版的圖形轉移到光刻膠上 。技術難度最高、成本最大、決定特征尺寸 。
有接觸式、接近式、投影式、步進式光刻機 。說完了光刻機還有光刻版，光刻版即掩膜版、光罩，很好理解 。最后還有光刻膠，光刻膠是光敏性材料，分為正膠和負膠 。在實驗室我體驗了涂膠并將其甩勻的過程，如下所示：首先把晶圓放在圓柱形底盤上，然后擠上適量的光刻膠，啟動轉盤，然后光刻膠就會被均勻的涂抹 。之后我記得是把晶圓放在一個機器上，先對準，對準完了之后啟動那臺機器進行光刻，結束之后要沖洗顯影等步驟 。
金屬化金屬化指的是金屬及金屬性材料在IC中的應用 。按照功能劃分，金屬化可以分為柵材料，互聯(lián)線材料，接觸材料以及填充材料 ?，F(xiàn)代集成電路對金屬化的要求與很多，電阻率要低，能傳導高電流密度，粘附性好，能夠粘附下層襯底實現(xiàn)很好的電連接，半導體與金屬連接時接觸電阻低 。易于淀積，容易成膜，易于圖形化，對下層襯底有高選擇比，易于平坦化，可靠性高，延展性好，抗點遷徙能力強，抗腐蝕性好，應力低，以減小硅片的翹曲，避免金屬線斷裂、空洞 。
金屬化材料分為金屬材料和金屬性材料 。常用的金屬材料有Al、Cu、Pt、Au、W、Mo等，常用的金屬性材料包括摻雜的多晶硅，金屬硅化物和金屬合金 。若干工藝流程之后，得到的晶圓如下所示，下邊的分別是我用手機拍攝的，可以看到不是很清楚 。最終的晶圓圖：用電子顯微鏡觀察一下，是這樣的:顯微鏡下則看的更為清楚，每個器件都能看到清晰的輪廓，至此，本次流程差不多也結束了 。
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