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退火 annealing
在半導體技術中也常常采用退火技術 。例如：
（1）半導體芯片在經(jīng)過離子注入以后就需要退火 。因為往半導體中注入雜質離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，結果造成大量的空位，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，所以在離子注入以后必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和消除缺陷 。同時，退火還有激活施主和受主雜質的功能，即把有些處于間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替代位置 。退火的溫度一般為200~800C，比熱擴散摻雜的溫度要低得多 。
（2）蒸發(fā)電極金屬以后需要進行退火，使得半導體表面與金屬能夠形成合金，以接觸良好（減小接觸電阻） 。這時的退火溫度要選取得稍高于金屬-半導體的共熔點（對于Si-Al合金，為570度） 。
什么叫退火退火分為哪幾種Annealing 退火處理，主要是指將材料曝露于高溫一段很長時間后，然后再慢慢冷卻的熱處理制程 。
主要目的是:
(1)釋放應力，
(2)增加材料延展性和韌性，
(3)產(chǎn)生特殊顯微結構 。
完全退火
用以細化中、低碳鋼經(jīng)鑄造、鍛壓和焊接后出現(xiàn)的力學性能不佳的粗大過熱組織 。將工件加熱到鐵素體全部轉變?yōu)閵W氏體的溫度以上30~50℃，保溫一段時間，然后隨爐緩慢冷卻，在冷卻過程中奧氏體再次發(fā)生轉變，即可使鋼的組織變細 。
球化退火
用以降低工具鋼和軸承鋼鍛壓后的偏高硬度 。將工件加熱到鋼開始形成奧氏體的溫度以上20~40℃，保溫后緩慢冷卻，在冷卻過程中珠光體中的片層狀滲碳體變?yōu)榍驙?，從而降低了硬?。
等溫退火
用以降低某些鎳、鉻含量較高的合金結構鋼的高硬度，以進行切削加工 。一般先以較快速度冷卻到奧氏體最不穩(wěn)定的溫度，保溫適當時間，奧氏體轉變?yōu)橥惺象w或索氏體，硬度即可降低 。
再結晶退火用以消除金屬線材、薄板在冷拔、冷軋過程中的硬化現(xiàn)象(硬度升高、塑性下降) 。加熱溫度一般為鋼開始形成奧氏體的溫度以下50~150℃ ，只有這樣才能消除加工硬化效應使金屬軟化 。
石墨退火
用以使含有大量滲碳體的鑄鐵變成塑性良好的可鍛鑄鐵 。工藝操作是將鑄件加熱到950℃左右，保溫一定時間后適當冷卻，使?jié)B碳體分解形成團絮狀石墨 。
擴散退火
用以使合金鑄件化學成分均勻化，提高其使用性能 。方法是在不發(fā)生熔化的前提下，將鑄件加熱到盡可能高的溫度，并長時間保溫，待合金中各種元素擴散趨于均勻分布后緩冷 。
去應力退火
用以消除鋼鐵鑄件和焊接件的內(nèi)應力 。對于鋼鐵制品加熱后開始形成奧氏體的溫度以下100~200℃，保溫后在空氣中冷卻，即可消除內(nèi)應力 。不完全退火
加熱溫度在Ac1~Accm之間，冷卻速度:在500~600℃以上時，碳鋼是100~200℃/h，合金鋼是50~100℃/h，高合金鋼是20~60℃/h，主要用于過共析鋼 。
焊后退火
選用純Fe作填充金屬對YG30硬質合金與45鋼進行TIG焊試驗 。利用掃描電鏡對退火前后的YG30/焊縫界面區(qū)的組織形貌進行分析 。結果表明,工業(yè)純Fe作填充金屬,在1050℃退火后,焊態(tài)的η相不變;在1150℃退火后,開始產(chǎn)生新η相;η相隨退火溫度升高和保溫時間延長而增加 。退火時新η相成核于WC-γ相界,吞并WC晶粒而長大,分布在WC顆粒的邊界 。
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