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內(nèi)存條|國(guó)產(chǎn)內(nèi)存全面“提速”，17nm工藝即將投產(chǎn)，DDR5已在路上！

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內(nèi)存條|國(guó)產(chǎn)內(nèi)存全面“提速”，17nm工藝即將投產(chǎn)，DDR5已在路上！

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過(guò)去我們選擇電腦配件的時(shí)候 ， 包括處理器、內(nèi)存、硬盤等在內(nèi) ， 幾乎所有的核心配件都來(lái)自國(guó)外大廠 ， 這是因?yàn)槲覈?guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)力較晚 ， 所以才有國(guó)外企業(yè)長(zhǎng)期壟斷市場(chǎng)的一幕出現(xiàn) 。

【內(nèi)存條|國(guó)產(chǎn)內(nèi)存全面“提速”，17nm工藝即將投產(chǎn)，DDR5已在路上！】但在自主研發(fā)的大背景下 ， 越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)替代已經(jīng)出現(xiàn) ， 其中就包括之前的內(nèi)存軟肋 ， 現(xiàn)在我國(guó)自主的內(nèi)存產(chǎn)品 ， 已經(jīng)成功打破了海外壟斷 ， 終于有了屬于我們自己的內(nèi)存廠商 。

早在2020年 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)就發(fā)布了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條和LPDDR4X內(nèi)存芯片 ， 而且這些產(chǎn)品均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則 ， 意味著我們終于擁有了成熟的內(nèi)存主控芯片 。
現(xiàn)在我們不必再關(guān)注國(guó)外內(nèi)存廠商的眼光 ， 國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品的誕生 ， 也一定程度上限制了國(guó)外廠商隨意漲價(jià)的行為 ， 為整個(gè)市場(chǎng)注入了新鮮血液 。
據(jù)了解 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR4屬于自主研發(fā)生產(chǎn) ， 并且種類非常齊全 ， 不僅有桌面級(jí)的臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條 ， 也有移動(dòng)級(jí)的筆記本內(nèi)存條 ， 而且內(nèi)存條容量都是單條8GB 。

目前 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的原廠顆粒已被多家廠商采用 ， 推出了2666/3000/3200MHz等多個(gè)版本的DDR4內(nèi)存 ， 并且在市場(chǎng)上擁有良好口碑 。
而長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)能夠成為全球領(lǐng)先的內(nèi)存廠商 ， 主要是因?yàn)檫@家企業(yè)的投入巨大 ， 自2016年在安徽合肥啟動(dòng)后 ， 就持續(xù)在該賽道上加碼投入 ， 目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn) 。
現(xiàn)在的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) ， 已經(jīng)成為了國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的DRAM設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè) ， 隨著技術(shù)的不斷增強(qiáng) ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也越來(lái)越被資本關(guān)注了 。

近日 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成的工商信息發(fā)生了變更 ， 新增股東包括中郵人壽、阿里巴巴等19位股東 ， 本次變更后睿力集成的注冊(cè)資本增加到了485.8億元人民幣 。
在這之前 ， 睿力集成的注冊(cè)資本為401.9億元 ， 本次增資規(guī)模為83.9億元 ， 增幅為20.88% ， 在獲得更多的資金后 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)必定也會(huì)全面提速 ， 繼續(xù)提升產(chǎn)能 。
此前有消息顯示 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在2020年和2021年分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬(wàn)片晶圓/月、6萬(wàn)片晶圓/月的目標(biāo) ， 來(lái)到2022年 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬(wàn)片晶圓/月 ， 未來(lái)甚至要提升到30萬(wàn)片晶圓/月 。

提升產(chǎn)能就必然要擴(kuò)大生產(chǎn)園區(qū) ， 本次長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)增資的目的就包括擴(kuò)大園區(qū)規(guī)模 ， 正計(jì)劃再建兩座晶圓廠 。 除了產(chǎn)能擴(kuò)增以外 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的技術(shù)水平也在不斷向頭部廠商追趕 。
目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)量產(chǎn)的內(nèi)存主要是第一代10nm級(jí)別工藝10G1 ， 不過(guò)17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存早已在規(guī)劃中了 ， 這是10G3代工藝 ， 如果能夠量產(chǎn)的話 ， 將進(jìn)一步縮短與三星的差距 。
據(jù)悉 ， 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年將投產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存 ， 未來(lái)還會(huì)有10G5工藝和DDR6的升級(jí) ， 由此可見(jiàn) ， 現(xiàn)在的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存已經(jīng)全面追趕上來(lái)了 。

雖然短期來(lái)看 ， 國(guó)產(chǎn)內(nèi)存依然與國(guó)外廠商有一些差距 ， 但這已經(jīng)是一個(gè)很好的開(kāi)端了 ， 相信隨著國(guó)產(chǎn)廠商的持續(xù)發(fā)力和資本的支持下 ， 未來(lái)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的差距一定會(huì)不斷縮小！

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