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【清華大學|技術突破 清華大學首次實現1nm晶體管】
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近日 ， 據清華大學官網消息稱 ， 清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重要進展 ， 首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管 ， 并具有良好的電學性能 。
清華大學官網相關報道截圖網介紹 ， 為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸 ， 本研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優異的導電性能作為柵極 ， 通過石墨烯側向電場來控制垂直的MoS2溝道的開關 ， 從而實現等效的物理柵長為0.34nm 。
亞1納米柵長晶體管結構示意圖
亞1納米柵長晶體管器件工藝流程 ， 示意圖、表征圖以及實物圖
通過在石墨烯表面沉積金屬鋁并自然氧化的方式 ， 完成了對石墨烯垂直方向電場的屏蔽 。 再使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質、化學氣相沉積的單層二維二硫化鉬薄膜作為溝道 。 相關成果以“具有亞1納米柵極長度的垂直硫化鉬晶體管”（Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths）為題 ， 于3月10日在線發表在國際頂級學術期刊《自然》（Nature）上 。
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