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【光刻機|華為剛官宣,光刻機就傳來新消息,外媒:ASML大意了】
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說到光刻機 , 現(xiàn)在大家應(yīng)該不再陌生 , 已經(jīng)知道 , 光刻機的工藝水平 , 就決定了一顆芯片的工藝水平 , 而采用更先進的工藝 , 那么在芯片面積不變的情況下 , 就可以集成更多的晶體管 , 以此來提升芯片的計算性能 。
可以說芯片產(chǎn)業(yè)從出現(xiàn)開始到現(xiàn)在的幾十年 , 通過提供制造工藝來提升芯片性能的措施 , 幾乎沒有發(fā)生任何變化 , 當然 , 我們并不排除改善芯片架構(gòu)也可以提升芯片性能 , 但是顯然 , 提升芯片工藝 , 集成更多晶體管的方法要更高效 。
但是芯片的制造工藝越來越難以提升 , 從7納米之后 , 便需要采用極紫外光的EUV光刻機 , 這種光刻機價格高昂 , 但是生產(chǎn)效率低下 , 導(dǎo)致芯片制造的成本高企 , 而且難以控制良品率 。
所以雖然只有ASML可以提供EUV光刻機 , 但是對于芯片制造商和芯片設(shè)計商來說 , 更希望有其他更低成本的措施 。
近日華為發(fā)布了2021年的年報信息 , 其中我們注意到 , 華為輪值董事長郭平也談到了芯片問題 , 我們知道華為無法得到先進芯片制造工藝服務(wù) , 而郭平表示 , 未來華為可能會采用多核結(jié)構(gòu) , 用堆疊、面積來換取芯片的性能 。
其實在華為此次官宣之前 , 蘋果就發(fā)布了采用該種“多核”結(jié)構(gòu)的M1 Ultra , 簡單來說 , 就是不提升制造工藝 , 將兩顆芯片集成到一起 , 形成一顆芯片 , 結(jié)果顯示性能提升顯著 。
所以華為的方法是可行的 , 而現(xiàn)在 , 我們看到光刻機市場又傳來新的消息 , 根據(jù)媒體報道稱 , 同樣是光刻機制造大廠的佳能 , 正在開發(fā)一款3D光刻機 , 預(yù)計將會在2023年上半年上市 。
佳能似乎已經(jīng)看出了EUV光刻機的弊端和客戶的需求 , 這款3D光刻機就是通過堆疊多個半導(dǎo)體芯片 , 使其緊密連接來提高性能 , 這似乎說明 , 華為在芯片上的決定是正確的 , 是可以期待的未來發(fā)展方向 。
但同時我們也看到 , ASML所生產(chǎn)的EUV光刻機 , 在未來將不再是提升芯片性能的唯一選擇 , 通過芯片堆疊技術(shù) , 即使不采用EUV光刻機 , 不采用那些最先進的制造工藝 , 同樣可以達到芯片性能的提升 。
所以有外媒表示 , ASML大意了 , 這是不是說明ASML“不香”了呢?
起碼我們看到 , 既然采用芯片堆疊的方式 , 不用先進的光刻機 , 也可以解決芯片的性能提升問題 , 而且成本更低 , 那么無疑就會讓芯片代工廠 , 減少對EUV光刻機的采購 。
當然 , 我們認為 , EUV光刻機也還會有它的市場存在 , 因為上面我們也談到了 , 芯片堆疊的方式 , 其實是犧牲了面積 , 也會犧牲空間 , 因此對于一些對性能要求很高 , 但是設(shè)備很小的領(lǐng)域 , 還是需要EUV光刻機 。
但是這類產(chǎn)品不多 , 即便是在智能手機上 , 由于現(xiàn)在手機的屏幕已經(jīng)越來越大 , 而且正在向折疊屏方向發(fā)展 , 所以智能手機的芯片 , 也可以通過利用面積換性能的方式 , 不是必須要將芯片做小 。
因此對于外媒的表示 , 我們認為ASML的EUV光刻機 , 會不如以前香了 , 尤其是目前來看 , 從設(shè)備供應(yīng)商、芯片代工商和芯片設(shè)計商三方 , 都在加碼芯片堆疊此類技術(shù)的發(fā)展 。
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