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OPPO|說人話系列：英特爾酷睿12代詳解(4): 摩爾定律之殤( 二 )

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如何解決呢？英特爾引入了應(yīng)變硅+HKMG技術(shù) 。 而AMD引入了摻銅絕緣硅技術(shù) ， 大大降低了芯片內(nèi)部漏電率跟受到的電磁影響 ， 再加上FPGA公司都在推行可編程功耗(Programmable Power)的方法 ， 這一套軟件硬件同步進步 ， 加上標準改變新的供應(yīng)鏈體系改變 ， 行成了完善組合拳 ， 從而理論上能把半導(dǎo)體制造工藝一路推進到32nm制程 。 而比較著名的代工廠臺積電也學習AMD的銅互聯(lián)方案 ， 終于在2007年搞定了65nm工藝 。 這也有了別的問題 ， 日美半導(dǎo)體標準決戰(zhàn) ， 最終歐美技術(shù)勝利 ， 曾經(jīng)風頭無兩的日廠從此淪落 ， 截至現(xiàn)在都在液晶硬盤領(lǐng)域茍延殘喘 。

上了書本的應(yīng)變硅技術(shù)
既然解決了眼前的問題 ， 那就在平面晶體管制造上繼續(xù)快進 。 時間來到了2010年 ， 如何進行32nm下一代的設(shè)計 ， 英特爾花了很多心思 。 實際上 ， 平面鋪設(shè)晶體管在10年前就早已提前宣布了走到了盡頭 ， 不過這一天總會來的 。 英特爾祭出了大殺器——3D晶體管(其實就是FinFET結(jié)構(gòu)啦) 。

平面跟3D晶體管對比
實際上 ， 22nm已經(jīng)無法用正常的命名法看待了 。 英特爾22nmFinFET工藝的柵極長度并沒有比32nm平面制程短多少 ， 但是單位面積集成的晶體管確實翻倍了 。 而長期在28nm無法突破的臺積電也發(fā)現(xiàn)了新大陸 ， 轉(zhuǎn)向了3D結(jié)構(gòu)芯片設(shè)計 ， 從而最終倒騰出來了TSMC16nm工藝 。
【OPPO|說人話系列：英特爾酷睿12代詳解(4): 摩爾定律之殤】
英特爾32對比22nm
看圖吧 ， 一目了然 。 就這么繼續(xù)堆疊下去理論上甚至可以達到硅基芯片的盡頭 。 英特爾制造14nm芯片 ， 技術(shù)路線相比22nmFinFET并沒有突破多少 ， 而是采用了大力出奇跡的方法——多次光刻 ， 這就是英特爾(也不止它一家)的多重曝光技術(shù) 。

理解沒？就是真的多次光刻
密度太高 ， 而電路精度不夠咋辦？好辦 ， 縫隙里也刻 ， 不行就多來幾次 。 應(yīng)付14到14+到14+++++都可行 ， 但是面對10nm以下的精度 ， 光刻次數(shù)要翻幾倍 ， 消耗的電力 ， 供水 ， 光罩數(shù)量越來越可怕 。 這些都能接受 ， 但理論指導(dǎo)帶來不了的是 ， 多次光刻的問題是誤差 。 幾十億晶體管 ， 哪怕一個步驟一個錯誤 ， 一點兒偏移 ， 芯片就報廢了 。 如果是5次6次曝光呢？良品率上不去 ， 這才是問題 ， 畢竟隔壁臺積電都用上極紫外光刻了不是 。 這也是酷睿連續(xù)6代都在14nm徘徊的原因 。
本期結(jié)束 ， 下期終于要講酷睿12代的核心設(shè)計了！

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