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半導(dǎo)體行業(yè)是高度資本密集、技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè) , 想要在半導(dǎo)體領(lǐng)域脫穎而出 , 需要具有良好的原始資源積累 , 只有這樣 , 才有希望快速地在產(chǎn)業(yè)中形成規(guī)模效應(yīng) 。
但中國(guó)在這一領(lǐng)域明顯存在不足 , 多年的技術(shù)落后 , 導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈明顯落后于歐美 , 正因?yàn)檫@樣 , 華為才會(huì)在美方調(diào)整芯片規(guī)則之后停下海思芯片的生產(chǎn)計(jì)劃 。
畢竟臺(tái)積電無法自由出貨后 , 相當(dāng)于掐斷了華為海思芯片的生產(chǎn)渠道 , 不過華為從來沒有放棄自研芯片的計(jì)劃 , 盡管海思芯片已經(jīng)停止生產(chǎn)了 , 但整個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)還保留著 。
華為輪值CEO徐直軍曾表示 , 華為對(duì)海思沒有盈利訴求;任正非也表示 , 沒有海思華為將寸步難行 。 從華為核心管理層的態(tài)度不難看出 , 華為絕不會(huì)放棄海思團(tuán)隊(duì) 。
好在功夫不負(fù)有心人 , 華為似乎已經(jīng)找到了繞開EUV光刻機(jī)生產(chǎn)高性能芯片的方案 , 從前不久華為發(fā)布的2021年報(bào)中 , 就可以了解到華為的下一步動(dòng)向 。
華為輪值董事長(zhǎng)郭平在談及芯片問題時(shí)表示 , 華為未來可能會(huì)采用多核結(jié)構(gòu) , 用堆疊、面積來換取芯片的性能 。
而現(xiàn)在 , 這種多核堆疊結(jié)構(gòu)已經(jīng)被公布了 , 華為公開了“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”專利 , 該專利于2019年9月提出申請(qǐng) , 能夠在保證供電需求的同時(shí) , 解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題 。
硅通孔技術(shù)作為一種高密度封裝技術(shù) , 可以讓晶體管集成度更高 , 帶來更強(qiáng)的性能表現(xiàn) , 但較高難度的工藝 , 弊端是需要采用極紫外光EUV光刻機(jī) 。
而EUV光刻機(jī)的價(jià)格是相當(dāng)昂貴的 , 生產(chǎn)效率也很低 , 直接導(dǎo)致芯片制造的成本過高 , 再加上只有ASML可以提供EUV光刻機(jī) , 所以華為才考慮其它方案 , 以規(guī)避EUV光刻機(jī)被卡脖子的問題 。
華為這次對(duì)外公布的“一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備”專利 , 就能夠有效地繞開EUV光刻機(jī)的問題 , 這是一種采用面積換性能、用堆疊換性能的方案 , 可以實(shí)現(xiàn)低工藝制程追趕先進(jìn)工藝的可能 。
其實(shí)在華為之前 , 蘋果推出的M1 Ultra就是將兩塊M1Max拼接在一起 , 通過“多核”結(jié)構(gòu)形成一顆芯片 , 性能也成倍提升 , 在如此短的時(shí)間內(nèi) , 就做出了比英特爾和AMD更優(yōu)秀的芯片 。
還有光刻機(jī)大廠佳能公司也傳來了新消息 , 據(jù)悉該公司正在開發(fā)一種3D光刻機(jī) , 明顯是為了搶占先機(jī) , 因?yàn)镋UV光刻機(jī)的弊端和客戶的需求 , 已經(jīng)非常明顯了 。
由此可以看出 , 華為的這套方案是完全可行的 , 也是可以期待的未來發(fā)展方向 。 就在華為公布該發(fā)明專利之后 , 外媒也紛紛表示:ASML大意了 。
因?yàn)闃I(yè)界已經(jīng)意識(shí)到了一個(gè)問題 , 就是ASML所生產(chǎn)的EUV光刻機(jī) , 未來將不再是提升芯片性能的唯一途徑 , 通過用面積換性能、用堆疊換性能的方案 , 也可以做出性能很強(qiáng)的芯片 。
如此一來 , 華為不用最先進(jìn)的制程工藝 , 也同樣能夠?qū)崿F(xiàn)芯片性能升級(jí)的目的 , 所以才會(huì)有外媒感嘆道:ASML確實(shí)大意了!
這對(duì)于ASML來說確實(shí)不是好消息 , 因?yàn)锳SML一直致力于提升光刻機(jī)工藝這條賽道 , 但如今正在被其它企業(yè)顛覆 , 摩爾定律也在失效 , 一切或許都會(huì)朝著另一個(gè)方向發(fā)展 。
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