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集微網消息 ， 國家知識產權局網站日前公布榮耀終端有限公司納米線晶體管技術專利申請 。
申請書內容介紹稱 ， 隨著晶體管特征尺寸不斷減小 ， 傳統MOS晶體管對溝道電流的控制能力變弱 ， 造成嚴重的漏電流 。 納米線（nanowire）場效應晶體管因具有更小的尺寸、更好的柵控特性以及較小的亞閾值擺幅 ， 能夠在提高芯片集成度的同時 ， 提高晶體管的性能 。 然而采用現有工藝制作的納米線非平面內生長 ， 難以實現大規模生產 。
榮耀公司申請的專利技術用于在平面內生長納米線 ， 納米線嵌入襯底上的溝槽 ， 槽壁具有導向作用 ， 使納米線可以沿槽壁的延伸方向生長 ， 有利于電子器件的大規模制作和集成 。
集微網查詢發現 ， 該專利第一發明人余林蔚目前任職南京大學教授、博士生導師 ， 學術研究方向為三維生長集成存算一體構架及GAA-FET器件工藝、可拉伸晶硅電子邏輯、傳感和柔性顯示等 ， 在納米線生長控制領域開展了一系列原創性工作 。 （校對/Aileen）
【納米|榮耀終端有限公司納米線晶體管專利申請日前公開】
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