1、半導(dǎo)體的常用摻雜技術(shù)主要有兩種,即高擴(kuò)散和離子注入 。摻入的雜質(zhì)主要有兩類,第一類是提供載流子的受主雜質(zhì)或施主雜質(zhì),第二類是產(chǎn)生復(fù)合中心的重金屬雜質(zhì) 。
2、熱擴(kuò)散技術(shù)是對于施主或受主雜質(zhì)的摻入,就需要進(jìn)行較高溫度的熱擴(kuò)散 。為了讓晶體中產(chǎn)生出大量的晶格空位,所以,就必須對晶體加熱,讓晶體原子的熱運(yùn)動加劇,以使得某些原子獲得足夠高的能量而離開晶格位置、留下空位 。
【什么叫半導(dǎo)體摻雜技術(shù) 何謂半導(dǎo)體摻雜技術(shù)】3、離子注入技術(shù)是為了使施主或受主雜質(zhì)原子能夠進(jìn)入到晶體中去,需要首先把雜質(zhì)原子電離成離子,并用強(qiáng)電場加速、讓這些離子獲得很高的動能,然后再直接轟擊晶體 。
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