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眾所周知 ， 在華為被斷芯后 ， 中國(guó)科技幾乎都聚焦于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ， 就是為了能夠在芯片制造方面取得突破 ， 從而打破美芯片“卡脖” ， 實(shí)現(xiàn)芯片自由 。 經(jīng)過(guò)；而一段時(shí)間的努力 ， 不可否認(rèn) ， 中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域有了很大的進(jìn)步 ， 尤其在芯片封裝工藝上取得了重大突破 。 目前 ， 中國(guó)已經(jīng)成功突破了4nm封裝工藝 ， 和全球頂尖水平相當(dāng) 。 那么這是否就意味著 ， 中國(guó)芯崛起了？
芯片制造過(guò)程很復(fù)雜 ， 主要分為三個(gè)環(huán)節(jié) ， 其一就是芯片設(shè)計(jì) ， 華為海思在這方面是強(qiáng)項(xiàng) ， 華為手機(jī)所使用的麒麟芯片就是由華為海思設(shè)計(jì) ， 然后交給臺(tái)積電等芯片代工廠進(jìn)行生產(chǎn) 。 所以在華為被斷供后 ， 華為海思設(shè)計(jì)的芯片就無(wú)法被代工了 。
【芯片|4nm封裝工藝迎來(lái)突破，中國(guó)芯崛起了？哪有那么簡(jiǎn)單！】
其二就是芯片制造 ， 這也是目前中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)所面臨的最大難題 。 芯片制造過(guò)程中自然離不開(kāi)制造設(shè)備、原材料等等 。 尤其要制造高端芯片就少不了EUV光刻機(jī) ， ASML公司受限于芯片禁令 ， 無(wú)法出貨給中國(guó)科技企業(yè) ， 所以這也給我國(guó)制造高端芯片造成了不小的麻煩 。
其三就是芯片封裝 ， 芯片制造出來(lái)以后 ， 需要經(jīng)過(guò)封裝才能使用 。 封裝工藝的高低也能直接影響芯片的良品率 ， 所以封裝工藝在整個(gè)芯片制造過(guò)程也起到了關(guān)鍵性的作用 。
就目前來(lái)看 ， 我國(guó)在芯片封裝技術(shù)是處于領(lǐng)先水平的 ， 4nm封裝工藝的突破 ， 確實(shí)給了中國(guó)芯一個(gè)機(jī)會(huì) 。 目前先進(jìn)制程工藝其實(shí)已經(jīng)無(wú)限接近于物理極限了 ， 所以如果想要打造高端芯片 ， 或許要解決的并不是EUV光刻機(jī)的問(wèn)題 ， 而是找到另外的方法 ， 而封裝技術(shù)可能就會(huì)成為一個(gè)新的突破口 。
以蘋(píng)果為例 ， 蘋(píng)果發(fā)布的M1 Ultra芯片就是通過(guò)臺(tái)積電CoWoS-S封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了性能疊加 ， 實(shí)現(xiàn)了1+1＞2的效果 。 而華為也申請(qǐng)了芯片疊加專(zhuān)利 ， 只要將兩枚14nm芯片疊加在一起 ， 就能擁有等同7nm芯片的性能水平 。
話說(shuō)回來(lái) ， 就算中國(guó)的封裝工藝還沒(méi)有達(dá)到頂尖水平 ， 這也是全球芯片產(chǎn)業(yè)需要思考的問(wèn)題 。 物理極限是繞不開(kāi)的 ， 這也是全球芯片發(fā)展的瓶頸 。 所以與其將更多的精力放在研發(fā)EUV光刻機(jī)上 ， 還不如想想有什么新技術(shù)能夠取代光刻機(jī) ， 一旦中國(guó)芯抓住了這個(gè)機(jī)會(huì) ， 或許就能實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē) 。
最后 ， 中國(guó)芯片封裝工藝有所突破 ， 對(duì)于中國(guó)芯的發(fā)展是具有積極意義的 。 在頂尖的封裝工藝加持下 ， 通過(guò)多芯片的重組堆疊 ， 我們也能實(shí)現(xiàn)和高端芯片同樣的性能水平 。 而這也將降低中國(guó)芯對(duì)光刻機(jī)的依賴 ， 也算是“去美化”進(jìn)程中的重要一步 。
當(dāng)然 ， 芯片制造這條路并不好走 ， 歐美國(guó)家起步較早 ， 給中國(guó)芯建起了重重技術(shù)壁壘 。 我們只能“關(guān)關(guān)難過(guò)關(guān)關(guān)過(guò)” ， 一步一步來(lái) ， 不能太心急了！只要每一步都走
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