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顯卡|從“造不如買(mǎi)”到集中力量攻堅(jiān)，中國(guó)離7nm光刻機(jī)還有多遠(yuǎn)？

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顯卡|從“造不如買(mǎi)”到集中力量攻堅(jiān)，中國(guó)離7nm光刻機(jī)還有多遠(yuǎn)？

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顯卡|從“造不如買(mǎi)”到集中力量攻堅(jiān)，中國(guó)離7nm光刻機(jī)還有多遠(yuǎn)？


文 | 華商韜略 付磊
時(shí)代在發(fā)展 ， 科技在進(jìn)步 ， 如果說(shuō)科技是一個(gè)國(guó)家強(qiáng)盛的根基 ， 那么半導(dǎo)體芯片的制造則代表著人類(lèi)科技的發(fā)展水平 ， 而光刻機(jī)則是芯片制造中必不可少的一部分 。
如今 ， 我國(guó)能夠生產(chǎn)的光刻機(jī)是第四代的ArFDE 90nm制程 ， 然而世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)生產(chǎn)企業(yè)ASML已經(jīng)可以做到生產(chǎn)EVU的7nm制程量產(chǎn) 。 因此我國(guó)的光刻機(jī)技術(shù)水平仍然需要不斷努力突破 ， 才能彌補(bǔ)這個(gè)差距 。
【中國(guó)光刻機(jī)的三次“突破”】
在1952年 ， 我國(guó)步入計(jì)算機(jī)科研 ， 國(guó)家也正是成立了計(jì)算機(jī)科研小組 ， 而此時(shí)的中國(guó)相對(duì)于外國(guó)來(lái)講 ， GDP仍然差距較大 。
直到1956年 ， 我國(guó)正式開(kāi)始重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ， 并且成功研制出第一只晶體三極管 ， 從此中國(guó)進(jìn)入半導(dǎo)體的新紀(jì)元 ， 然而此時(shí)相對(duì)世界上第一只三極管的誕生已經(jīng)過(guò)去了長(zhǎng)達(dá)9年的時(shí)間 。
伴隨著晶體管的研發(fā)成功 ， 我國(guó)相關(guān)的科研進(jìn)度也飛速加快 ， 然而“天公不作美” ， 盡管我國(guó)努力在向著光刻機(jī)制造產(chǎn)業(yè)前進(jìn) ， 但仍然困難重重 。
1961年 ， 美國(guó)GCA公司成功制造出第一臺(tái)接觸式光刻機(jī) ， 再加上新中國(guó)建立初期 ， 美國(guó)、英國(guó)等17個(gè)國(guó)家就成立了國(guó)際巴黎統(tǒng)籌委員會(huì) ， 主要是為了限制成員國(guó)向發(fā)展中國(guó)家出口物資和高新技術(shù) ， 中國(guó)也在封禁的行列之中 。
而光刻機(jī) ， 也被該委員會(huì)列為尖端科技產(chǎn)品 ， 對(duì)于中國(guó)實(shí)施禁運(yùn) ， 此時(shí)的中國(guó)也正式遭遇第一次“高科技卡脖” 。
基礎(chǔ)實(shí)力差 ， 加上外國(guó)這樣的“絆腳石” ， 讓中國(guó)不得不主張自行研發(fā) 。
1977年 ， 歷經(jīng)10年之久的中國(guó)經(jīng)過(guò)自己的不懈努力 ， 上海光學(xué)機(jī)械廠(chǎng)成功制造出JKG-3型接觸式半自動(dòng)光刻機(jī) 。
這也代表著此時(shí)的中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在緊跟外國(guó)的科技發(fā)展步伐 ， 然而真正距離美國(guó)制造出的光刻機(jī)已經(jīng)相差近二十年 ， 并且就在同年 ， 美國(guó)再次推出了真正的自動(dòng)化光刻機(jī) 。
后來(lái)的中國(guó)通過(guò)老一輩的科研工作者努力 ， 正在一切向著前進(jìn)的方向發(fā)展 ， 然而本以為將會(huì)順利發(fā)展、步入快車(chē)道的中國(guó)光科技產(chǎn)業(yè) ， 在1984年遭遇了“中斷” 。
伴隨著日后光刻機(jī)市場(chǎng)霸主ASML的誕生而打破 ， 并且隨著中國(guó)重視重心逐步趨向于其他行業(yè) ， 中國(guó)在80年代底 ， 開(kāi)始主張“造不如買(mǎi)”的政策 。 使得自身的科研進(jìn)度逐步減緩 ， 以至于中國(guó)的集成電路在科研、教育等方面出現(xiàn)脫節(jié) ， 自主研發(fā)的道路越走越窄 。
取而代之的是數(shù)以萬(wàn)千的廉價(jià)勞動(dòng)力 ， 盡管后來(lái)盡力去跟進(jìn)研發(fā) ， 但由于自身發(fā)展原因加上大環(huán)境影響 ， 導(dǎo)致曾經(jīng)輝煌一時(shí)的半導(dǎo)體盛景已然成為“泡沫” 。 這也代表著中國(guó)由于自身原因遭遇第二次“卡脖” 。
歷時(shí)20年之久 ， 中國(guó)光刻機(jī)技術(shù)一直卡在193nm無(wú)法突破 ， 中國(guó)隨著發(fā)展也逐漸認(rèn)識(shí)到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性 ， 開(kāi)始探討突破193nm的方法 。 而此時(shí)的ASML卻已經(jīng)開(kāi)始了EUV光刻機(jī)的研發(fā)工作 ， 并且成功在2010年正式研發(fā)出第一臺(tái)EVU原型機(jī) 。
此時(shí)的中國(guó)就已經(jīng)意識(shí)到了其重要性 ， 快速向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)軍 。 恰巧2000年的中國(guó) ， 正是大量愛(ài)國(guó)人士回國(guó)創(chuàng)業(yè)的時(shí)代 ， 他們帶著外國(guó)的先進(jìn)知識(shí)和經(jīng)驗(yàn) ， 進(jìn)一步促使中國(guó)半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)得到光速發(fā)展 。
2007年 ， 上海微電子宣布研制出90nm的分布式投影光刻機(jī) ， 但由于大多數(shù)元器件來(lái)自國(guó)外 ， 西方國(guó)家再次禁運(yùn) ， 導(dǎo)致無(wú)法量產(chǎn) 。 后來(lái)國(guó)家為了解決這一難題 ， 除了抓緊整機(jī)制造 ， 還開(kāi)始扶持一系列配套產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展 ， 在不懈努力下 ， 光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)也成功在2016年實(shí)現(xiàn)90nm的光刻機(jī)量產(chǎn) 。

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