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三星電子HBM4E基底芯片，進入后端設計階段

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三星電子HBM4E基底芯片，進入后端設計階段

據報道 ， 三星電子正在研發的下一代定制化HBM4E基底芯片已進入后端設計階段 ， 標志著該產品的研發工作跨過了中期節點 。
基底芯片是HBM最底層的控制區域 ， 負責完成堆疊式DRAM的數據讀寫、錯誤修正等核心操作 ， 直接決定HBM的性能與穩定性 。 近期 ， 客戶企業提出了定制化HBM的需求 ， 要求在基底芯片中集成多種邏輯功能 。 后端設計是指在寄存器傳輸級（RTL）邏輯電路設計等前端開發完成后 ， 對實際電路進行布局與連接的物理設計階段 。 后端設計完成后 ， 廠商會將最終的設計數據交付給晶圓代工企業 ， 這一環節被稱為 “流片” 。
半導體行業相關人士表示：“三星電子近期在內部制定了全新的HBM產品路線圖 ， 并且已經緊急要求合作企業在今年3月前 ， 按照該路線圖制定所需產品的供需計劃 。 ”這份路線圖涵蓋了計劃于今年量產的第六代HBM4、第七代HBM4E以及第八代HBM5等產品 。
【三星電子HBM4E基底芯片，進入后端設計階段】分析認為 ， 三星此次制定新路線圖 ， 意在將這些下一代HBM的量產時間提前 ， 并強化定制化HBM的發展戰略 。
去年 12 月 ， 相關人士在一場研討會上透露：“三星電子從 HBM4 產品開始 ， 同步推進標準HBM和定制化HBM兩條產品線 ， 近期還分別為谷歌、Meta 以及英偉達的定制化HBM項目擴充設計人員 ， 新增人員規模達 250 人 。 ” 行業預計 ， HBM4E將于2027年推出 ， HBM5則計劃在2029年面世 。
一位熟悉三星電子的業內人士預測：“HBM4 仍以通用型產品為主 ， 而從HBM4E和HBM5開始 ， 三星將轉向定制化HBM的生產 。 屆時 ， 如何與晶圓代工企業合作完成基底芯片的邏輯設計 ， 將成為關鍵所在 。 ”
目前 ， 三星電子正處于定制化HBM4E基底芯片的物理實現階段 ， 同時對EDA工具環境進行優化 ， 這些工作均屬于后端設計范疇 。 內存接口電路設計專家任大賢（音譯）碩士牽頭負責物理實現的核心環節 —— 輸入輸出（I/O）設計 。 該碩士曾任職于 IBM 和格芯等企業 ， 并于 2023 年加入三星電子 。
定制化HBM4E基底芯片的設計工作 ， 由曾主導HBM4研發的核心人員負責 。 該研發團隊在完成 HBM4 的開發工作后 ， 已于去年 11 月并入 DRAM 研發部門 。 據悉 ， 三星電子正依托這支團隊 ， 同步推進定制化HBM5基底芯片的設計籌備工作 。
通常情況下 ， 一款HBM的整體設計周期約為 10 個月 ， 其中后端設計階段占比高達 60% 至 70% 。 一家無晶圓廠企業的相關人士解釋道：“在后端設計過程中 ， 需要與前端設計環節進行交互修正與驗證 ， 前端和后端的耗時占比大致為 4:6 。 ” 業內預計 ， 定制化HBM4E的設計工作將于今年 5 月至 6 月完成 。
據悉 ， SK 海力士和美光科技也有望在相近時間點完成各自定制化HBM4E的研發工作 。 一位內存行業相關人士表示：“目前三大內存廠商的HBM4E研發進度基本持平 ， 尚未出現明顯的領先或落后情況 。 ”
與此同時 ， 三星電子DS部門內存業務部正在參與JEDEC的HBM5標準化工作 ， 由該業務部的夏慶洙（音譯）常務牽頭推進 ， 同步開展HBM5產品的規劃工作 。
另一位業內人士表示：“企業通常會在參與 JEDEC 標準制定的同時 ， 推進相關產品的研發 ， SK 海力士同樣在參與HBM5標準化工作的過程中 ， 開展對應的產品研發 。 ” 他補充道：“從 HBM4 開始 ， 廠商已根據客戶需求 ， 在基底芯片中集成部分GPU運算能力、散熱控制以及錯誤控制功能 。 預計 SK 海力士也將從HBM4E起 ， 明確區分通用型HBM與定制化HBM兩條產品線 ， 分別進行研發準備 。 ”
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