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英特爾的ZAM內存方案近期獲得了廣泛關注 ， 英特爾出人意料地發布了該技術的原型機 ， 并作出了前景廣闊的承諾 。
英特爾及其合作伙伴正研發Z型角內存 ， 以解決現有方案的散熱與計算限制【打破HBM壟斷！英特爾首次展示全新DRAM技術ZAM RAM原型！】盡管英特爾已退出DRAM業務數十年 ， 但該公司近期與軟銀子公司Saimemory攜手 ， 踏入了一個全新領域——推出名為Z型角內存（ZAM）的解決方案 ， 旨在打破HBM的壟斷地位 。 盡管我們上周已對ZAM進行過探討 ， 但英特爾顯然加快了步伐 ， 向全球展示了其原型機 。
據日本媒體PCWatch報道 ， 英特爾在2026年日本英特爾連接大會（Intel Connection Japan 2026）上 ， 首次正式全面介紹了ZAM技術 ， 其核心重點的是Z型角架構如何緩解現有解決方案面臨的性能與散熱限制 。
英特爾院士、英特爾政府技術部門首席技術官約書亞·弗萊曼 ， 以及英特爾日本公司首席執行官恩保誠出席了此次大會 。 在此之前 ， ZAM僅存在于研究論文和新聞稿中；而此次 ， 英特爾迅速展示了原型機 ， 并闡述了ZAM的未來發展方向 。 對于不了解該技術的人來說 ， 這款內存解決方案的核心亮點的是采用了交錯互連拓撲結構——該結構將裸片堆疊內部的連接線路設計為對角線分布 ， 而非傳統的垂直向下鉆孔連接 。 據英特爾介紹 ， ZAM最大的優勢體現在散熱性能上 。
目前 ， 英特爾在ZAM項目中扮演的具體角色尚未明確界定 ， 但根據大會上發布的營銷資料顯示 ， 該公司將負責“初始投資與戰略決策” 。 關于Z型角內存項目相較于HBM的具體表現 ， 目前已有多項相關說法 ， 但在初期討論中 ， 我們有望看到以下幾方面的提升：
- 功耗降低40%-50%
- 通過Z型角互連簡化制造流程
- 單芯片更高存儲容量（最高512GB）
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