3月18日 ， 根據韓國媒體《朝鮮日報》的最新報導 ， 在全球人工智能（AI）芯片需求持續爆發的背景下 ， 韓國三星電子正積極鞏固其在高帶寬內存（HBM）市場的領先地位 。 三星電子存儲開發部執行副總裁黃相?。 ℉wang Sang-jun）在英偉達GTC 2026大會現場公布了三星最新的HBM量產進度與下一代技術發展藍圖 。
黃相俊表示 ， 我們目前正以非常陡峭的曲線進行HBM的產能提升 ， 且在生產環節上沒有面臨太大的問題 ， 將全力支持英偉達等核心客戶的AI芯片發布周期 。 針對未來的產品布局 ， 黃相俊指出 ， 三星的戰略目標是讓最新一代的HBM4 產品 ， 在公司整體的HBM 總產量中占據高達一半以上的比例 。
面對當前全球存儲芯片市場可能出現的供應緊缺情況 ， 三星也制定了明確的應對方針 。黃相俊強調 ， 在市場供應略顯不足的情況下 ， 將產能與供應重心集中于高階優質產品 ， 從整體產業發展的宏觀角度來看 ， 是更好的選擇 。 與此同時 ， 三星還必須將戰略合作伙伴與一般量產供應客戶進行明確區分 ， 并依此來分配產品數量 ， 這是在當前市場環境下不得不采取的資源配置做法 。
黃相俊也在GTC大會上宣布 ， 其第六代HBM——HBM4已經開始步入量產階段 ， 其基礎晶粒（Base Die）將采用4nm制程技術（三星代工的英偉達Gorq 3 LPU芯片也是采用同樣的4nm制程） ， 其核心的DRAM芯片采用的是10nm等級的1c（第六代）制程技術 。
三星表示 ， 該芯片的處理速度高達 11.7 Gbps ， 超過了業界典型的 8 Gbps 標準 ， 并且可以提升至 13 Gbps 。
三星后續的升級版第七代HBM產品——HBM4E的基礎晶粒也都將采用相同的4nm制程技術 。 但未來的HBM5 以及HBM5E 產品的基礎芯粒 ， 三星則計劃全面導入自家晶圓代工更為先進的2nm制程技術 。 在核心DRAM芯片方面 ， HBM5 與HBM5E 預計將分別采用10nm等級的1c（第六代）與1d（第七代） 制程技術 。黃相俊進一步指出 ， 采用如此尖端的制程技術確實會帶來成本壓力與負擔 。 不過 ， 為了滿足HBM 未來所追求的產品效能與設計概念 ， 積極導入先進制程技術是不可避免的發展趨勢 。
為了確保在激烈的AI 晶片競賽中保持優勢 ， 三星正推行一項緊密跟隨核心客戶的戰略 。 目前 ， 三星正致力于將自家HBM 的推出周期 ， 與英偉達AI 芯片的上市周期進行同步調整 ， 計劃以“每年”為單位 ， 持續推出全新的HBM產品 。
三星還重點介紹了其與英偉達在人工智能工廠方面的合作 ， 利用加速計算和 Omniverse 技術擴展半導體生產中的數字孿生系統 。 三星還展示了多款設備端AI內存產品 ， 包括用于DGX Spark系統的PM9E3和PM9E1 NAND閃存 ， 以及LPDDR5X和LPDDR6移動DRAM 。 LPDDR5X單引腳速度高達25Gbps ， 效率更高；LPDDR6單引腳速度高達35Gbps ， 并增強了電源管理 。
【三星擬將HBM4產能占比將提升至50%以上！】編輯：芯智訊-林子
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