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快科技4月17日消息 ， 日前 ， 復旦大學宣布 ， 時隔2周 ， 繼二維半導體芯片之后 ， 復旦集成電路領域再獲關鍵突破 。
據介紹 ， 復旦大學周鵬、劉春森團隊通過構建準二維泊松模型 ， 在理論上預測了超注入現象 ， 打破了現有存儲速度的理論極限 ， 研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件 。
其擦寫速度可提升至亞1納秒（400皮秒） ， 相當于每秒可執行25億次操作 ， 性能超越同技術節點下世界最快的易失性存儲SRAM技術 。
相關成果以《亞納秒超注入閃存》為題在《自然》期刊上發表 。
據了解 ， 這是迄今為止世界上最快的半導體電荷存儲技術 ， 實現了存儲、計算速度相當 ， 在完成規模化集成后有望徹底顛覆現有的存儲器架構 。
在該技術基礎上 ， 未來的個人電腦將不存在內存和外存的概念 ， 無需分層存儲 ， 還能實現AI大模型的本地部署 。
【史上最快存儲速度！復旦大學研制出超高速閃存：未來電腦將不存在內外存概念】團隊將“破曉”與CMOS結合 ， 以此打造出的Kb級芯片目前已成功流片 ， 下一步 ， 計劃在3-5年將其集成到幾十兆的水平 ， 屆時可授權給企業進行產業化 。
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