由日本京都大學、筑波大學、東海大學和產業技術綜合研究所組成的研發小組發現 ， 用高強度太赫茲脈沖照射相變材料GeSbTe化合物（GST）后 ， 該材料會以納米尺寸從非晶狀態生長出晶體 。 GST可用于目前使用的記錄型DVD和新一代非易失性固體存儲器 ， 是一種備受期待的相變存儲器記錄材料 。
該研究利用世界最高強度的太赫茲脈沖生成技術 ， 成功向GST照射了高電場皮秒脈沖 ， 晶體部分尖端的焦耳熱促進晶體逐漸生長 ， 由此可以引起各向異性晶體沿著電場方向生長 。
該成果明確了在存儲器的開關動作中瞬間發生的高電場效應 ， 另外還顯示出引起納米尺寸極小結構變化的可能性 ， 今后有助于實現相變存儲器的小型化和高效率化 。
【太赫茲脈沖可使相變材料長出晶體】（本欄目稿件來源：日本科學技術振興機構 整編：駐日本采訪人員陳超）
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