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SK海力士推遲1c DRAM投資

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SK海力士推遲1c DRAM投資

目前主要AI半導體公司對HBM4的需求比預期延遲了 ， 未來HBM4E的量產也可能會延遲 。
據韓媒報道 ， SK海力士計劃推遲對10nm級第六代DRAM（1c DRAM）的投資 ， 轉而專注于需求可見度高、盈利能力強的高帶寬存儲器（HBM）的生產 。
SK海力士2024年8月宣布成功開發1c 16Gb DDR5 DRAM ， 原計劃在2024年年內完成1c DDR5 DRAM量產準備 ， 從2025年開始供應產品 。 與前一代1b工藝相比 ， SK海力士1c DRAM生產率提高30%以上 ， 將主要用于高性能數據中心 ， 其運行速度為8Gbps ， 與前一代相比速度提高了11% ， 能效提高了9%以上 。
SK海力士推遲1c DRAM量產線建設的原因在于 ， 包括英偉達在內的主要AI半導體公司正在源源不斷地涌入HBM訂單 。 SK海力士今年的HBM產能已經售罄 ， 明年的產能計劃將在今年上半年完成與客戶的最終協商 。 業界分析 ， HBM的盈利能力是普通DRAM的3-5倍 。 目前 ， HBM3 8層（24 GB）和HBM3E 8層（36 GB）產品售價分別在200美元出頭和300美元出頭 。 而計劃在今年下半年及明年量產的HBM4 12層產品售價預計將超過600美元 。
鑒于此 ， SK海力士正專注于擴大其1b DRAM產能 ， 以作為HBM3E和HBM4核心芯片 。 其計劃于下半年竣工的M15X也將安裝1b DRAM量產線 。 SK海力士在4月舉行的第一季度電話會議上也表示：“考慮到當前不確定的外部環境 ， 正如我們之前強調的那樣 ， 我們將以需求可預見性高且盈利能力有保障的產品為中心進行投資 ， 并進一步提高投資效率 。 ”
據半導體設備業內人士透露 ， 目前主要AI半導體公司對HBM4的需求比預期延遲了 ， 未來HBM4E的量產也可能會延遲 。 考慮到需求和盈利能力 ， SK海力士不需要倉促投資1c DRAM 。 業界預計 ， SK海力士將在HBM4E量產后擴大1c DRAM的產能 。 SK海力士計劃從HBM4E開始將1c DRAM用作核心芯片 。
HBM助力 ， SK海力士首超三星成全球DRAM冠軍2025年第一季度 ， 三星在全球DRAM市場的份額大約為34% ， 而SK海力士的份額約為36% ， 導致三星失去了其在DRAM市場的領導地位 。 這是SK海力士首次在排名中超越了長期占據DRAM市場最大份額的競爭對手三星 ， 后者數十年來一直穩居DRAM最大供應商的地位 。
Counterpoint Research預計 ， SK海力士將在第二季度繼續保持DRAM最大供應商的地位 。
值得注意的是 ， 這一排名變化背后是AI算力需求激增所推動的產業變革 。 盡管HBM產品僅占SK海力士動態隨機存取存儲器（DRAM）收入的15% ， 卻成為其主要利潤來源 。 在AI服務器市場需求激增的背景下 ， HBM業務推動了SK海力士營收與利潤的雙重增長 ， 從而實現了對三星的超越 。
據相關數據顯示 ， 預計2023年至2026年期間 ， AI服務器的出貨量年復合增長率將達到22% 。 在AI服務器出貨量增長的帶動下 ， 預計2024年HBM在AI領域的營收將占DRAM市場總額的20% 。 預計2025年HBM的需求將達到20.8億千兆字節 ， 市場規模將突破311億美元 ， 成為推動DRAM市場增長的主要動力 。
去年 ， SK海力士業績創歷史新高 ， 總銷售額達66.19萬億韓元 ， 營業利潤達23.47萬億韓元 。 HBM產品表現尤為突出 ， 占第四季度DRAM總銷售額的40%以上 。 SK海力士預計 ， 在AI的推動下 ， 到2027年 ， HBM內存芯片的需求將以每年82%的速度增長 。
此前有報道稱 ， SK海力士計劃將年度設備投資（CAPEX）預算在原有基礎上增加30% 。 消息人士透露 ， SK海力士原本計劃今年投資22萬億韓元用于擴建設施 ， 但這一數字已提升至29萬億韓元 。 SK海力士也曾表示 ， 其投資策略將專注于那些已經確保盈利的產品 ， 在行動上 ， 公司也正將M10晶圓廠的部分產能（主要生產傳統節點產品）轉換為HBM工藝 。
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