這個(gè)步驟是芯片生產(chǎn)過程中的難點(diǎn)，其中最重要的機(jī)器就是光刻機(jī)，目前頂級(jí)的光刻機(jī)一臺(tái)的價(jià)格就可以賣到上億元人民幣，而且還是戰(zhàn)略物資，有錢也不一定能夠買得到，目前頂級(jí)的光刻機(jī)被荷蘭的ASML公司所壟斷，目前他們已經(jīng)我們國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)只能達(dá)到穩(wěn)定生產(chǎn)28nm工藝芯片的技術(shù)，和荷蘭的的ASML公司相差較大 。最后一步·測(cè)試以及封裝最后一步就是測(cè)試以及封裝了，我們目前所能買到的芯片其實(shí)都是封裝后的產(chǎn)物，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是將制造完成的晶圓固定，綁定引腳，然后根據(jù)用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場(chǎng)形式等外在因素采用各種不同的封裝形式；同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等，下面這些都是常見的封裝方式 。
這就是一塊芯片從無(wú)到有誕生的全過程，實(shí)際的過程要比筆者所編寫的內(nèi)容要復(fù)雜的多的多，其實(shí)我國(guó)早在上世紀(jì)70年代就已經(jīng)開始了對(duì)芯片行業(yè)進(jìn)行布局了，只不過最后由于國(guó)情問題最終放棄了，導(dǎo)致我們國(guó)家的芯片研發(fā)技術(shù)和國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家拉了一個(gè)身位，不過我相信隨著時(shí)代的發(fā)展，國(guó)家資源的傾斜，我們國(guó)家的芯片技術(shù)將會(huì)有大踏步的發(fā)展 。
華為海思芯片測(cè)試是干什么的？
【談?wù)勑酒O(shè)計(jì)公司為什么要做芯片測(cè)試,為什么做芯片測(cè)試】
芯片測(cè)試和計(jì)算機(jī)軟件測(cè)試是完全兩碼事，芯片測(cè)試包含可靠性測(cè)試和電性能，電功能測(cè)試，我們暫時(shí)先說(shuō)電性能測(cè)試，要先從芯片研發(fā)設(shè)計(jì)人員那里獲得必需要的測(cè)試參數(shù)，（像海思芯片主要就是華為手機(jī)獨(dú)用的手機(jī)CPU芯片，就會(huì)要負(fù)載情況的響應(yīng)時(shí)間，通過量等等，簡(jiǎn)單點(diǎn)講芯片測(cè)試大部分模擬他工作時(shí)候，看它正不正常工作），然后你要和研發(fā)設(shè)計(jì)人員討論測(cè)試方法，最后選擇測(cè)試平臺(tái)做測(cè)試程序開發(fā)，開發(fā)完要將數(shù)據(jù)與應(yīng)用工程師上板量測(cè)值做比較，做完還要到量產(chǎn)段做量產(chǎn)驗(yàn)證 。
碩士去做芯片ATE測(cè)試工程師有發(fā)展前景嗎？
這個(gè)問題有點(diǎn)糾結(jié)，碩士做啥都有前景，碩士做啥都沒前景，這個(gè)其實(shí)跟學(xué)歷無(wú)關(guān)，我們說(shuō)的是職業(yè)以及行業(yè) 。先說(shuō)芯片，中國(guó)這兩年在芯片上面的進(jìn)展雖然是雷聲大雨點(diǎn)小，但是不管我們現(xiàn)在的技術(shù)情況是怎么樣的，我覺得中國(guó)是一定要在芯片上面趕超世界水準(zhǔn)的，所以從這個(gè)角度出發(fā)，我覺得芯片行業(yè)是可以從事的，前景不知道會(huì)多光明，但是最起碼不會(huì)差，更不用論中國(guó)芯這樣的存在 。
誰(shuí)能詳細(xì)介紹一下芯片的設(shè)計(jì)，制造和封測(cè)技術(shù)？
芯片制造的難，就是難在要不斷地向物理極限發(fā)起挑戰(zhàn)，而且你永遠(yuǎn)都不知道這個(gè)極限在哪里 。不同類型的芯片所面臨的物理極限都是不一樣的，下面我們分類來(lái)看一下 。3D-NAND芯片NAND這個(gè)詞在外行的看來(lái)比較陌生，但實(shí)際上離我們并不遠(yuǎn)，我們買的很多固態(tài)硬盤的核心存儲(chǔ)芯片，就是3D-NAND芯片 。這個(gè)芯片的內(nèi)部就像是一部住宅大廈，里面有很多的小間隔，這個(gè)間隔就是電荷存儲(chǔ)的物理空間 。
那么又為什么叫它3D呢？因?yàn)樵瓉?lái)NADA的小房子只能夠蓋一層，類似于一個(gè)平面，而3D-NADA可以在垂直方向上進(jìn)行疊加，是一個(gè)立體的結(jié)構(gòu) 。這些小間隔是在半導(dǎo)體制造幾大基本模塊批量制作的，每個(gè)小間隔的組成，是經(jīng)過精確設(shè)計(jì)的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體材料 。國(guó)產(chǎn)的3D-NADA芯片之所以落后，就是在于國(guó)產(chǎn)的芯片堆疊層數(shù)較低，目前國(guó)產(chǎn)的芯片最高可以做到64層，但是像三星、鎂光，卻可以做到128層以上 。
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