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高通放棄三星代工？第二代驍龍8至尊版芯片全由臺積電代工

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【高通放棄三星代工？第二代驍龍8至尊版芯片全由臺積電代工】高通放棄三星代工？第二代驍龍8至尊版芯片全由臺積電代工

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高通放棄三星代工？第二代驍龍8至尊版芯片全由臺積電代工

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
代工大戰一觸即發 。

有博主在X平臺發布推文 ， 曝料稱高通已取消了三星的2納米工藝代工計劃 ， 不再委托其生產第二代驍龍8至尊版芯片 。
高通內部列表中 ， 此前對第二代驍龍8至尊版芯片（基礎型號編號 SM8850） ， 有2個版本：一種是臺積電制造的3納米版本（編號為 8850-T） ， 另一種是三星基于2納米技術制造的版本（編號為 8850-S） 。
驍龍8 Elite 2是高通下一代旗艦移動處理器 ， 預計于2025年9月底發布 。 其采用臺積電第三代3納米（N3P）工藝 ， CPU為第二代自研Oryon架構 ， 2+6全大核設計 ， 主頻達4.4GHz 。 GPU為Adreno 840 ， 獨立緩存16MB ， 圖形性能提升約30% 。 它還支持SME等指令集 ， AI性能強勁 。 整體性能相比上一代顯著提升 ， 有望由小米16系列首發搭載 。

而最新消息稱高通內部已不再區分版本 ， 只剩下基礎的SM8850型號 ， 推測指的是臺積電制造的3納米芯片 。
科技媒體Android Headline觀點 ， 認為從種種跡象表明 ， 高通第二代驍龍8至尊版可能完全依賴臺積電代工 。 高通上調了第二代驍龍8至尊版芯片原型的價格 ， 現在對感興趣的公司來說 ， 成本高達15000美元 。 消息源還透露高通正在研發SM8845芯片 ， 預估為驍龍8s Gen 5芯片 ， 但目前尚不清楚具體規格細節 。
另外 ， 三星將代工生產部分高通驍龍8 Elite 2芯片 ， 工藝升級為2納米制程的三星SF2 ， 套片報價比臺積電3納米版本更低 ， 或將于明年上線 。
三星對其2納米工藝已有完整布局 ， 包括SF2、SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多個節點 。 其中 ， SF2為首個實現量產的2納米工藝節點 。 相比上一代 ， 該工藝在性能方面提升12% ， 能效提升25% 。 同時 ， SF2采用了GAA技術 ， 中文名稱為“全環繞柵極”晶體管架構 。 相關信息表明 ， GAA架構在性能和制造良率方面正在不斷成熟 。
至于更先進的1.4納米 ， 三星原定于今年第二季度動工的1.4納米測試線建設計劃已被推遲 ， 預計投資將延后至今年年底或最早明年上半年 。 這一調整意味著三星原計劃于明年開始提供的1.4納米工藝服務可能會延期 ， 業界預計其量產時間可能推遲至2028年左右 。
推遲投資決策的主要原因是三星晶圓代工業務面臨的市場低迷 ， 今年第一季度 ， 三星晶圓代工部門錄得約2萬億韓元的虧損 。 由于客戶訂單減少和銷售額下滑 ， 三星已將其年初約10萬億韓元的年度設備投資計劃削減至約5萬億韓元 ， 采取更為保守的投資和管理策略 。 面對市場壓力 ， 三星電子現階段將重心轉向“強化內部結構” ， 集中人力和投資資源于計劃于今年年底量產的2納米工藝上 。
三星2納米制程已進入關鍵節點 —— 為Galaxy S26系列定制的 Exynos 2600芯片已啟動原型量產 ， 目標是在不犧牲性能的前提下將良率提升至50%以上 。 若達成這一目標 ， 三星計劃于2026年初開啟全面量產 。
值得注意的是 ， 三星2納米工藝的良率提升頗具挑戰性 。 今年初的初始測試量產中 ， 其良率僅約30% ， 目前的良率已達到40% ， 而此次50%的目標若實現 ， 將較初期提升20個百分點 。 這一進展被視為三星 Foundry 的重要里程碑 ， 尤其是對比其3納米工藝 —— 即便量產三年 ， 良率仍徘徊在50%左右 。 作為三星2納米技術的 “試金石” ， Exynos 2600的性能與良率將直接影響業界對其下一代制程的信心 。 若能成功量產 ， 三星有望憑借Exynos芯片重新與高通驍龍形成競爭 ， 進一步控制成本 。
盡管臺積電當前良率領先 ， 但三星正通過技術迭代縮小差距 。 三星寄望于3納米 GAA 架構的經驗積累 ， 加速2納米良率提升 ， 并挖角臺積電前高管韓美玲（Margaret Han）執掌晶圓代工部門 ， 試圖復制臺積電的管理經驗 。 而臺積電則憑借成熟的良率和客戶信任度 ， 鞏固其龍頭地位 。
業內分析指出 ， 2納米制程的競爭不僅關乎技術實力 ， 更直接影響半導體產業鏈的話語權 。 三星若能將良率穩定在50%以上 ， 有望以成本優勢吸引NVIDIA、高通等客戶作為備選供應商 ， 而臺積電則憑借更高良率和產能保障 ， 繼續占據主流訂單 。 隨著兩家巨頭在 2025年下半年陸續投產2納米 ， 一場圍繞高性能芯片的 “代工大戰” 已一觸即發 。
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