鎧俠出樣UFS 4.1嵌入式閃存設備_智能手表|人工智能

新款UFS 4.1閃存采用了鎧俠BiCS8 FLASH 3D閃存芯片，結合開創性的CBA技術，集成在JEDEC標準封裝中。
鎧俠宣布開始出樣UFS 4.1閃存，提供了256GB、512GB和1TB容量，支持主機啟動的碎片整理和寫入緩沖區大小調整等先進特性。新產品專為滿足下一代移動應用的需求而設計，包括具備設備內置AI的高級智能手機，采用了小型BGA封裝，可提供更高的性能和更高的能效。
新款UFS 4.1閃存采用了鎧俠BiCS8 FLASH 3D閃存芯片，結合開創性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，提供了突破性的性能、效率和容量，集成在JEDEC標準封裝中。
主要功能包括：

提供了256GB、512GB和1TB容量可選。
相比上一代產品， 512GB和1TB的隨機寫入性能提升了約30% ，隨機讀取性能分別提升了約45%和35% 。
相比上一代產品，在能效方面512GB和1TB的讀取速度提升了約15% ，讀取速度提升了約20% 。
主機啟動碎片整理支持延遲垃圾收集，以便在關鍵時刻實現不間斷的快速性能。
WriteBooster緩沖區大小調整為最佳性能，提供了更好的靈活性。
支持UFS Ver. 4.1標準。
與上一代產品相比， 1TB型號的封裝高度降低。
使用鎧俠BiCS8 FLASH 3D閃存芯片。

鎧俠表示，新款UFS 4.1閃存融合了速度和低功耗，旨在增強用戶體驗，即實現更快的下載和更強的性能。
SK海力士的UFS 4.1今年5月， SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb TLC 4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1 。該產品具備全球領先的順序讀取性能與低功耗特性，專為端側AI進行優化；產品厚度減薄15% ，適用于超薄旗艦智能手機。
新品較上一代基于238層NAND閃存的產品能效提升了7% 。同時，成功產品厚度從1mm減薄至0.85mm ，使其能夠適配超薄智能手機。支持第四代UFS產品的順序讀取峰值，數據傳輸速率高達4300MB/s 。決定移動設備多任務處理能力的隨機讀取和寫入速度，相較上一代產品分別提升了15%與40% ，達到現存UFS 4.1產品中全球領先水平。
該產品提供512GB（千兆字節）和1TB（太字節）兩種容量規格。公司計劃于今年內向客戶交付樣品以進行驗證流程，并將于明年第一季度正式進入量產階段。
SK海力士表示：“為了在移動設備上實現端側（On-device）AI的穩定運行，所搭載的NAND閃存解決方案產品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對AI工作負載優化的UFS 4.1產品，公司將進一步鞏固其在旗艦智能手機市場中的存儲器技術領導地位。 ”
存儲新標準UFS4.1今年年初， JEDEC固態技術協會推出通用閃存標準UFS 4.1（JESD220G），同時發布了配套的JESD223F UFS主機控制器接口（UFSHCI）4.1標準更新。
據介紹， UFS 4.1采用MIPI Alliance的M-PHY 5.0和UniPro 2.0規范，實現UFS接口帶寬翻倍，理論讀寫速度最高可達約4.2 GB/s 。 UFS 4.1專為需要高性能和低功耗的移動應用和計算系統而開發，與早期版本的標準相比，不僅可以提供更快的數據訪問速度和更高的性能，同時保持了與UFS 4.0的硬件兼容性。
UFS 4.1和UFSHCI 4.1相對于先前版本進行了多方面的改進，例如FS 4.1引入了更高效的內存管理和新功能來提高系統吞吐量，并通過使用RPMB認證以防止未經授權的數據訪問；此外， UFS 4.1還提高了存儲邏輯單元的精度，為QLC NAND的實現奠定了基礎。
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