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英諾賽科，展現野心

廣東省

英諾賽科，展現野心

英諾賽科的擴產正值臺積電退出GaN代工領域 。
中國領先的氮化鎵（GaN）專業公司英諾賽科計劃到2025年底將其8英寸晶圓月產能從13000片擴大到20000片 ， 并朝著每月70000片的五年目標邁進 。 作為首家大規模生產8英寸硅基氮化鎵晶圓的整合器件制造商 ， 英諾賽科的擴產凸顯了全球在電力電子領域日益轉向GaN技術 。
【英諾賽科，展現野心】據報道 ， 英諾賽科的產品組合涵蓋晶圓制造、分立GaN器件、智能GaN集成電路、驅動芯片和功率模塊 。 這些產品服務于從消費電子、太陽能到儲能和數據中心等多種應用 。 憑借其效率和小尺寸 ， GaN在雙向電源轉換、光伏儲能系統和高密度服務器電源等領域正獲得發展勢頭 ， 并成為下一代功率半導體中硅的有力替代品 。
英諾賽科 ， 聚焦8英寸GaN英諾賽科的擴產正值臺積電退出GaN代工領域 ， 以及英飛凌科技開始試產12英寸GaN晶圓（預計2025年末向客戶交付） 。 這一系列活動反映了日益激烈的競爭和樂觀的預測 。
盡管業內參與者都在關注12英寸GaN生產 ， 但英諾賽科采取了審慎的態度 。 盡管12英寸晶圓的芯片良率是8英寸的2.3倍 ， 但良率一致性和工藝可靠性仍是尚未解決的挑戰 。 “目前還沒有能夠批量生產12英寸GaN的MOCVD設備 ， ”該公司表示 ， 并補充說其重點仍將放在優化8英寸產線上 。 預計12英寸GaN可能要到2030年才能達到商業化成熟度 。
英諾賽科計劃將擴大的產能與迭代產品升級相結合 ， 以在成本和性能方面超越硅基功率半導體 。 該公司聲稱其下一代GaN產品可提供高達40%的性能提升和30%的系統成本節約 。 預計客戶全面采用將遵循三到五年的多年合作周期 。
今年4月 ， 英諾賽科與意法半導體簽署了GaN技術開發和制造協議 ， 結成戰略聯盟 ， 以擴大全球生產并加速創新 。 該合作伙伴關系結合了兩家公司的IDM模式和地理制造優勢 ， 以擴大其GaN產品組合并增強供應鏈彈性 。
該協議允許英諾賽科利用意法半導體的歐洲生產線進行GaN晶圓產出 ， 而意法半導體可以利用英諾賽科在中國的前端晶圓廠產能生產自己的GaN器件 。 這種跨區域合作的目標是新興的高增長市場 ， 包括AI數據中心、可再生能源、電動汽車和工業電源系統 。
意法半導體模擬、電源和分立器件、MEMS和傳感器部門總裁Marco Cassis表示 ， 這項協議將通過更靈活、全球分布式生產模式 ， 幫助意法半導體擴大其GaN產品線 ， 并加速寬帶隙技術（包括SiC）的部署 。
英諾賽科創始人兼董事長羅衛偉表示 ， GaN對于構建更小、更高效、更低排放的電子系統至關重要 。 英諾賽科已在全球出貨超過10億個GaN器件 ， 羅衛偉相信與意法半導體的合作將加速下一代GaN創新的推出 。
通過擴大生產和建立全球聯盟 ， 英諾賽科正將自己定位為快速發展的GaN功率半導體市場中的關鍵參與者 ， 在技術執行與長期戰略布局之間取得平衡 。
GaN ， 強勢崛起作為第三代化合物半導體 ， GaN相比傳統硅材料具有更高的功率密度、更快的開關速度、卓越的熱穩定性和更高的能源效率 。 這些特性使其在一系列應用中尤其有價值——從消費電子產品和AI數據中心到可再生能源系統和電動汽車 。
通過減少設備中的能量損耗并實現更緊湊的設計 ， GaN技術有望提高各行業的電源效率 。 根據研究公司Omdia的數據 ， 全球GaN功率半導體市場預計將從2023年的5億美元增長到2032年的64億美元 。 這一預測表明 ， 對于早期采用者和新市場進入者而言 ， GaN具有巨大的長期潛力 。
盡管臺積電正在退出GaN代工 ， 但該市場正變得日益擁擠 。 行業分析師表示 ， 中國晶圓代工廠在8英寸GaN器件的大規模生產方面取得了顯著進展 ， 這導致整個行業的價格壓力不斷增大 。
一些觀察人士認為 ， 這種激進的價格環境是臺積電決定退出的一個關鍵原因 ， 轉而將其精力集中在更先進、利潤更高的技術上 。
在韓國 ， 本土競爭也日益加劇 。 SK Key Foundry已經展示了650V GaN HEMT組件的性能 ， 并計劃在2025年下半年開始大規模生產8英寸GaN晶圓 。 與此同時 ， DB HiTek于2024年完成了其8英寸GaN試產線 ， 目標是明年開始初步生產 。 該公司還在探索進入12英寸GaN制造領域 。
隨著GaN市場的發展 ， 三星正處于關鍵時刻 。 電動汽車、可再生能源和AI驅動系統等領域的轉變 ， 持續推動著全球對高效能技術的需求 。 GaN有望在這一轉型中發揮核心作用 。
但成功將取決于三星和其他新進入者能夠多快地擴大運營規模 ， 并與成本更低的競爭對手展開競爭 。 隨著化合物半導體領域的競爭日益激烈 ， 前方的道路充滿了希望和壓力 。
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