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【DRAM三者有什么區(qū)別,RRAM】傲騰內(nèi)存是什么？

歡迎在點(diǎn)擊右上角關(guān)注：「太平洋電腦網(wǎng)」，更多有趣資訊等著您哦。我來介紹一下傲騰內(nèi)存。傲騰內(nèi)存是啥？傲騰內(nèi)存，雖名為內(nèi)存Memory，它并不是傳統(tǒng)意義上DDR3/DDR4內(nèi)存，而基于3DXpoint技術(shù)一種低延遲的“M.2 NVMe SSD”，外觀與普通的M.2 SSD一樣，采用M.2 SSD接口，連接在主板M.2插槽上使用。
傲騰內(nèi)存，實(shí)際上就是系統(tǒng)加速而獨(dú)立劃分出來的“緩存盤”，目前上市在售的傲騰內(nèi)存有16GB、32GB兩個(gè)容量版本。其主要特點(diǎn)如下：1、響應(yīng)速度快；2、系統(tǒng)加速；3、可以做到高速度、大容量結(jié)合。在規(guī)格方面，傲騰內(nèi)存采用M.2 2280單面規(guī)格設(shè)計(jì)，搭載一顆或者兩顆單Die封裝的3DXPoint芯片，20nm工藝制造，僅支持PCI-E 3.0x2通道，而非主流NVMe SSD支持PCI-E 3.0x4通道。
在性能方面，16GB版本持續(xù)讀取最高為900MB/s，持續(xù)寫入最高為145MB/s；4K 隨機(jī)讀取為190000 IOPS，4K隨機(jī)寫入是35000 IOPS 。32GB版本持續(xù)讀取速度為1200MB/s，持續(xù)寫入最高為280MB/s；4K 隨機(jī)讀取為300000 IOPS，4K隨機(jī)寫入是70000 IOPS 。
從官方給的數(shù)據(jù)看，傲騰內(nèi)存不管是持續(xù)性能還是隨機(jī)性能，讀取性能均遠(yuǎn)好于寫入性能。傲騰內(nèi)存該怎么用？相信不少人會(huì)糾結(jié)，包括筆者自己，拿到手后，這塊容量?jī)H16GB 傲騰內(nèi)存該怎么使用？是不是有了它，就不用內(nèi)存？或者說有了它，硬盤也省了？其實(shí)不是的。Intel傲騰內(nèi)存是無法取代傳統(tǒng)的內(nèi)存，實(shí)際使用中，占用一個(gè)Intel 200系主板上的M.2接口，搭配大容量的機(jī)械硬盤使用，它能夠讓安裝在機(jī)械硬盤中的系統(tǒng)和軟件的啟動(dòng)、運(yùn)行、加載速度得到明顯提升，給人感覺相當(dāng)于SSD（系統(tǒng)盤） HDD（數(shù)據(jù)倉庫）體驗(yàn) 。
當(dāng)你對(duì)傲騰內(nèi)存有了初步了解之后，是不是想到曾經(jīng)Intel推出的“智能響應(yīng)技術(shù)”，也叫Intel Smart Response Technology,將較小容量的SSD固態(tài)硬盤作為智能響應(yīng)技術(shù)的緩存盤，以提高機(jī)械硬盤的速度跟系統(tǒng)整體性能。從本質(zhì)上講，兩者沒有什么區(qū)別。而Intel曾經(jīng)失敗的“智能響應(yīng)技術(shù)”，使用方法也是一樣的，用一個(gè)16GB、32GB的小容量mSATA SSD與大容量的機(jī)械硬盤組成RAID，通過智能響應(yīng)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)加速，提升系統(tǒng)響應(yīng) 。
RRAM最近怎么沒消息了？

資訊電路方案開發(fā)板數(shù)據(jù)手冊(cè)部件采購...1首頁設(shè)計(jì)技巧新品發(fā)布博客原創(chuàng)一文讀懂RRAM，為啥說它最有希望取代DRAM？2017-12-12 11:02:06 來源：存儲(chǔ)在線標(biāo)簽RRAMDRAM日前，一年一度的中國存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題，論道存儲(chǔ)未來，讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀，干貨滿滿。
下午第三分論壇，中國計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專委會(huì)主任馮丹作為開場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢(shì)及RRAM（阻變存儲(chǔ)器）性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢(shì)，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的一個(gè)很好的選擇。
馮丹從三個(gè)方面介紹憶阻器的相關(guān)發(fā)展，首先是市場(chǎng)需求，IDC預(yù)計(jì)，到2020年全球的數(shù)據(jù)量將達(dá)到40ZB，數(shù)據(jù)量強(qiáng)大，另外一方面是對(duì)存儲(chǔ)的需求，包括高性能計(jì)算的存儲(chǔ)需求，以及各種各樣的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，對(duì)存儲(chǔ)的需求是速度更快。例如12306，春運(yùn)時(shí)每天超過300億次PV操作，每秒并發(fā)訪問1.3 GB的數(shù)據(jù)，對(duì)內(nèi)存的需求非常大，包括大數(shù)據(jù)分析等都是放在內(nèi)存里，而大規(guī)模計(jì)算所需內(nèi)存容量將是現(xiàn)在的1000倍，內(nèi)存需求以及供給存在巨大差距。