文章圖片
文章圖片
文章圖片
中國半導體產業迎來歷史性突破 ， 其中已實現國產5納米工藝芯片的量產 ， 良率從早期的35%大幅提升至60%-70% ， 接近臺積電初期的SF3良率水平 。
這一突破背后 ， 是工程師們在沒有EUV光刻機的情況下 ， 使用DUV設備通過“四重圖案化技術”（SAQP）反復曝光四次 ， 硬是將28nm的粗糙線條磨成5nm的精密圖案 。
其難度相當于“用鉛筆在A4紙上畫電路圖 ， 每畫錯一筆就得整張重來” ， 這也意味著國產芯片開始大幅度的進行突破了 。
重點是當博主公布了詳細的信息之后 ， 對于廠商的發展來說 ， 也將會是一次巨大的進步與提升 ， 對于消費者來說也是一件好事 。
需要了解 ， 在EUV光刻機全面禁售的背景下 ， 中國半導體產業選擇了一條極具挑戰的技術路徑——用成熟DUV設備攻堅先進制程 。
這里就不具體指向哪家廠商 ， 但是初期行業消息稱其5nm良率僅為35% ， 但最新進展表明 ， 良率已攀升至60%-70% ， 接近當年臺積電SF3工藝初期水平 。
而且5nm工藝的晶體管密度是7nm的1.8倍 ， 相當于“把北京四環內的建筑全塞進二環”
芯片金屬導線直徑僅為頭發絲的萬分之一 ， 精度要求達到原子級別 。
雖然這么說非常的夸張 ， 但是良率的提升直接降低了生產成本 ， 使得國產5nm芯片從實驗室走向商業應用成為可能 。
更何況隨著5nm工藝成熟 ， 華為即將推出的Mate80系列成為最受期待的受益者 ， 多方消息表明 ， 該系列將搭載新一代麒麟9030處理器 。
雖然目前還不清楚用什么工藝 ， 并且架構等方面都有很大懸念 ， 但一旦進行采用 ， 結果也只能用有好有壞來形容 。
好的地方是因為工藝提升之后 ， 芯片的性能表現會變得很好 ， 不好的地方則是供應方面的壓力應該會非常大 。
況且缺貨是華為手機這幾年比較引人矚目的事情 ， 估計下半年的迭代新機 ， 也會出現缺貨的一個情況 。
除了核心配置之外 ， 新機在散熱設計上 ， Mate80系列更是突破常規 ， 有望采用超薄風扇主動散熱系統 。
屆時會成為繼紅魔之后少數采用主動散熱設計的旗艦手機 ， 配合6000mAh硅碳負極電池和100W快充 ， 華為在性能與續航之間取得新平衡 。
同時新機有望做到IP68/69級別防塵防水 ， 搭配上鴻蒙OS6版本的優化 ， 日常使用體驗也會變得極為優秀 。
重點是等到下半年之后 ， 生態環境也會變得很好 ， 那么用戶進行選擇的時候 ， 應該也不會特別的糾結了 。
然后是外觀設計上 ， Mate80系列將告別微曲屏 ， 全系采用2.5D直屏 ， 幾乎達到“視覺消失”的效果 。
并且標配支持120Hz刷新率、高頻護眼調光模式 ， 不知道這代會不會加入側邊超聲波指紋解鎖特性 。
影像系統則升級為四攝組合 ， 搭載新一代紅楓原色傳感器和XMAGE 3.0算法 ， 影像表現將會非常的優秀 。
此外 ， 新機的功能特性方面應該也會有著不一樣的表現 ， 無論是昆侖玻璃還是衛星通訊應該都不會缺席 。
其實站在5nm突破的門檻上 ， 中國半導體產業已鎖定下一個目標：在產能與良率上追平國際領先水平 。
而且以中芯國際展現出驚人的“四年三級跳”發展速度 ， 比如2019年突破14nm、2021年量產12nm、2023年交付7nm、2025年更是有望沖刺5nm 。
這種發展速度甚至讓ASML總裁溫彼得承認：“中國對手的進步超乎預期” ， 但挑戰依然存在 ， 比如臺積電3nm良率已超80% ， 中芯國際5nm仍在爬坡 。
再加上國產光刻機精度仍落后ASML兩代、芯片設計軟件EDA被美國三大巨頭壟斷 ， 這也意味著發展還需要時間 。
總而言之 ， 中國半導體產業的這場突圍 ， 不只是技術指標的競賽 ， 而是國產設備“拼樂高”式的產業鏈協同創新 。
【國產5納米工藝：良率60-70%接近SF3，華為Mate80系列或有望采用！】對此 ， 大家有什么想表達的嗎？一起來說說看吧 。
推薦閱讀
- 華為率先降價，16GB+512GB跌價1050元，國產影像機皇更親民了
- 封殺已來不及！美取消芯片軟件限制，國產芯片要崛起了？
- 今年排名第一的國產系統，真的有點會玩
- 英偉達“丟掉”的1000億，國產平替還能繼續賺嗎？
- 周鴻祎解讀黃仁勛中國之行：中美AI競爭加劇，國產GPU追趕速度驚人
- H20解禁是陷阱：美國想鎖死中國AI？國產芯早已突破！
- 國產五大品牌旗艦與非旗艦占比分析，華為最牛，小米排名第二
- 國產化率45%，中國最強存儲芯片廠商，設備國產替代成功！
- 為啥現在的國產手機發布會，看不到康寧大猩猩了？
- 30億光刻機出貨，中國廠商卻買不到，國產芯片如何實現突破？