ddr2 800，DDR2 800跟DDR2 1066的區別 _DDR2

1，DDR2 800跟DDR2 1066的區別如果單純的比性能，是相差不大！！只是對超頻玩家來說，就很有意義了！ CORE2基本都是很能超的，有不少都可以超到500外頻以上，這時800MHZ的內存就是瓶頸了，DDR2 1066的優勢就出來了！！對于266外頻的CPU DDR2 800和1066的差距真的不大！

2，主板支持DDR2 800是否就支持DDR400不可以，兩種內存的規格完全的不一樣，所以不可以兼容，首先插槽的缺口不一樣，其次工作電壓不一樣，如果你的主板支持DDR2的話可以插上條800的內存，如果是DDR內存的主板，很抱歉你的想法不能實現。ddr2內存的am2\am2+主板，你的cpu已經到頭了，雖然上面還有四核之類的，但功耗太高，不合適。現在使用ddr2內存最好的，就是英特自強之類的l/e 5420\5450 四核,或者q9550、q8400之類的775四核，但這樣配套的p41\g41主板+cpu已經老了，問題較多，建議你果斷整機出售掉，換全新的ddr3內存的新平臺，i3 +h85+7770顯卡+4g內存的配置，升級費用不算太高

3，組裝電腦中DDR2和800什么意思啊DDR2800mz明顯是DDR 2代的內存他的頻率是800Mz 的 DDR 內存有DDR 1代和 DDR3（更高的內存）更前的內存是SD 內存內存的參數而已 DDR2代表的是第二代 800是頻率 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步固態隨機處理器DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據預讀取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。667 800 1066 是指內存的震蕩頻率頻率越高內存與CPU總線之間的傳輸速度越快數字是他的頻率~~越高越好DDR屬于1代~最高頻率400~~也有333的~DDRII是2代~~有533~667~800~還有更高的DDR3~~還沒成主流~ 所以你的那個是屬于高端產品了就是內存條的型號和內存頻率內存條的型號和工作頻率 【ddr2 800，DDR2 800跟DDR2 1066的區別】

4，DDR2 800后面的800是什么意思工作頻率（MHz） 800MHz內存頻率內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率室333MHz和400MHz的DDR內存，以及533MHz和667MHz的DDR2內存。大家知道，計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz 。內存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存異步工作模式。首先，最早的內存異步工作模式出現在早期的主板芯片組中，可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統內存性能或者使老內存繼續發揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，只不過搭配不同的內存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調低內存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內存同步的工作模式下，此時內存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內存設置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設置內存異步模式有助于超頻成功。目前的主板芯片組幾乎都支持內存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。5，電腦內存條DDR2 800這些表示內存條的什么涵義請教各位高手解釋DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。800那是內存帶寬，內存帶寬讓你執行程序稍微快一點，不過在實際運用中，800和667的差別十分微弱，沒有加大內存容量的效果來得立竿見影。DDR2 800內存頻率相當于800MHz如果全部解答的話就跟講課使得從硬件的數字電路上一點一點講了。1、通俗點說所謂DDR就是Double-Data-Rate DRAM，前3個單詞是2倍數據率，后面那個DRAM指動態隨即存儲器，一般電子電路中的RAM指使用觸發器工作的存儲單元，但是這種東西很貴。所以就有了DRAM，原理很簡單，就是用電容的充放電來存數數據。想要知道原理的話就啃書吧。2、DDR2中的2指第二代，和一代的區別在于二代中獵取數據采用雙邊沿觸發模式。不懂的話就繼續啃數字電路的數吧，3、800指數據頻率，注意是數據頻率，不是CLK頻率。其實就是800MHz 。M=10的6次方以上單從技術上說，學問很多JEDEC關于DDR2的 SPEC多達500多頁，不是這里能說的清楚的。真要想學的話就買書看吧，學問非常多。自學都學會的話相當于學習了大學4年的微電子學了不可以。ddr2和ddr3內存不可以同時安裝使用。就算主板提供了ddr2和ddr3內存插槽，也需要根據安裝的cpu的類型，安裝使用cpu支持的ddr2或者ddr3內存。計算機內存類型揮發性 RAM DRAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM Rambus SRAM 非揮發性 ROM PROM EPROM EEPROM 閃存 1條附散熱片的1GB DDR2 SDRAM第二代雙倍數據率同步動態隨機訪問內存（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為 DDR2 SDRAM），是一種計算機內存規格。它屬于SDRAM家族的內存產品，提供了相較于DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR SDRAM（雙倍數據率同步動態隨機訪問內存）的后繼者，也是現時流行的內存產品。JEDEC為DDR存儲器設立了速度規，并分為了以下兩個部分：按內存芯片分類和按內存模塊分類。[編輯] 規格（記憶芯片）DDR2-400：DDR2-SDRAM 記憶片在200 MHz下運行 DDR2-533：DDR2-SDRAM 記憶芯片在266 MHz下運行 DDR2-667：DDR2-SDRAM 記憶芯片在333 MHz下運行 DDR2-800：DDR2-SDRAM 記憶芯片在400 MHz下運行 DDR2-1000：DDR2-SDRAM 記憶芯片在500 MHz下運行 DDR2-1066：DDR2-SDRAM 記憶芯片在533 MHz下運行現時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200，但必須在高電壓下運作，以維持其穩定性6，ddr2 800是什么意思800MHz內存主頻的DDR二代內存用術語和你解釋吧DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。DDR2內存的頻率此外，由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。DDR2與DDR的區別：在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。1、延遲問題：從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz 。這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400 。2、封裝和發熱量：DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。DDR2采用的新技術：除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS 。OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。總的來說，DDR2采用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。DDR2是二代內存，例如DDR3是第三代內存，，800ZMH，是內存的頻率，當然越高越好ddr2就是2代內存，800就是頻率DDR第一代內存DDR2第二代內存....800頻率7，電腦內存條DDR2800是什么意思DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。區別于SDR 。內存 ddr2、DDR2中的2表示DDR的第二代。800為800GHZ的縮寫，表示時鐘頻率。內存條是CPU可通過總線尋址，并進行讀寫操作的電腦部件。DDR2 DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于擴展資料：DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。電腦內存條中：1、DDR是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。區別于SDR 。2、DDR2中的2表示DDR的第二代。3、800為800GHZ的縮寫，表示時鐘頻率。內存條是CPU可通過總線尋址，并進行讀寫操作的電腦部件。內存條在個人電腦歷史上曾經是主內存的擴展。隨著電腦軟、硬件技術不斷更新的要求，內存條已成為讀寫內存的整體。我們通常所說電腦內存（RAM）的大小，即是指內存條的總容量。內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率室333MHz和400MHz的DDR內存，以及533MHz和667MHz的DDR2內存。大家知道，計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz 。內存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存異步工作模式。首先，最早的內存異步工作模式出現在早期的主板芯片組中，可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統內存性能或者使老內存繼續發揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，只不過搭配不同的內存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調低內存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內存同步的工作模式下，此時內存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內存設置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設置內存異步模式有助于超頻成功。目前的主板芯片組幾乎都支持內存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。復制給你的~基本沒什么用~只要區分DDRI-DDR2，如果2條以上要保持穩定的話頻率要一樣的才能一起使用DDR2-800是內存條的代號，但這個代號和他的頻率有關，DDR2 800 說明它的頻率是400MHz因為它在上行與下行都傳輸數據，而以前的SDRAM只在上行傳輸數據，和同頻的SDRAM相比DDR的速度變成了雙倍，所以DDR內存的代號都是頻率X2！！嚴格的說ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，部分初學者也常看到ddr sdram，就認為是sdram 。ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思當然是 ddr2好ddr2（double data rate 2） sdram是由jedec（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代ddr內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但ddr2內存卻擁有兩倍于上一代ddr內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，ddr2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。