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鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣

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鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣

全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布 ， 其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術的 512Gb TLC存儲器已開始送樣 。 該產品計劃于 2025 年投入量產 ， 旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案 。 此外 ， 這款產品也將集成到鎧俠的企業級固態硬盤中 ， 特別是需要提升 AI 系統 GPU 性能的應用 。
【鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣】為應對尖端應用市場的多樣化需求 ， 同時提供兼具投資效益與競爭力的產品 ， 鎧俠將繼續推行“雙軌并行”策略 ， 即：
第九代 BiCS FLASH? 產品： 采用 CBA（CMOS directly Bonded to Array ， 外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術 ， 將現有的存儲單元技術與最新的 CMOS 技術相結合 ， 在降低生產成本的同時實現卓越性能 。第十代 BiCS FLASH? 產品：通過增加存儲單元的堆疊層數 ， 滿足未來市場對更大容量、更高性能解決方案的需求 。全新的第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 基于第五代 BiCS FLASH? 技術的 120 層堆疊工藝與先進的 CMOS 技術開發而成 。 與鎧俠現有的相同容量（512Gb）的 BiCS FLASH? 產品相比 ， 其性能實現了顯著提升 ， 包括：
寫入性能：提升 61% 讀取性能：提升 12% 能效：寫入操作能效提升 36% ， 讀取操作能效提升 27% 數據傳輸速度：支持 Toggle DDR6.0 接口 ， 可實現高達 3.6Gb/s 的 NAND 接口傳輸速率 位密度：通過先進的橫向縮放技術提升 8% 位密度此外 ， 鎧俠確認 ， 在演示條件下 ， 該 512Gb TLC 的 NAND 接口速度可達 4.8Gb/s 。 其產品線將根據市場需求確定 。
鎧俠始終致力于深化全球合作伙伴關系 ， 并持續推動技術創新 ， 為客戶提供滿足其多樣化需求的最佳存儲解決方案 。
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