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HBM4，路線各不同

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HBM4，路線各不同


本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
三星計劃在其HBM4產品中使用1c DRAM ， 而SK海力士則計劃在同一類別中采用上一代1b DRAM 。
在全球存儲芯片行業最新戰場——10納米級第六代DRAM領域（1c、11-12納米級）競賽中 ， 三星電子與SK海力士采取了截然不同的策略 。
為了從上一代產品的挫折中恢復過來 ， 三星迅速采取行動 ， 投資新的生產設施 ， 而 SK 海力士則推遲大規模支出 ， 直到在與包括 Nvidia 在內的主要客戶談判中確認明年的供應承諾 ， 確保盈利能力 。
預計三星將比SK海力士提前三到四個月開始量產1c DRAM 。 分析師表示 ， 如果三星成功向英偉達供應采用新工藝生產的DRAM的第四代高帶寬內存（HBM4） ， 它有望重奪約30年來首次失去的市場領先地位 。
【HBM4，路線各不同】每一代 DRAM 都采用更先進的制程技術 ， 通過縮小電路線寬來減小芯片尺寸并提高密度 ， 從而提升性能和能效 。 三星、SK 海力士和美國美光科技公司目前正在 10 納米級第四代（1a、14 納米級）和第五代（1b、11-12 納米級）DRAM 市場展開競爭 。 業內觀察人士預計 ， 1c DRAM 的競爭將從明年開始升溫 。
據業內人士8月11日透露 ， 三星已于第一季度開始陸續訂購1c DRAM生產設備 。 該公司自今年上半年以來一直在采購DRAM制造工具 ， 預計將于年底完成生產線建設 ， 并全面投入量產 。 SK海力士計劃最早于第三季度開始訂購設備 ， 并計劃于明年實現量產 。
三星一直試圖在1c DRAM產量上超越SK海力士 ， 以彌補其1a和1b產品線的失誤 。 近年來 ， 該公司一直致力于解決DRAM質量問題 ， 這些問題嚴重到需要重新設計已量產的芯片 。 這些問題也影響了其HBM產量 ， 導致HBM市場出現虧損 ， 并讓三星失去了近30年來一直保持的DRAM市場領先地位 。
市場追蹤機構 Omdia 報告稱 ， 2025 年第一季度 ， SK 海力士占據了 DRAM 市場 36.9% 的份額 ， 超過三星（份額為 38.6%） ， 位居第二 。
三星計劃在其 HBM4 產品中使用 1c DRAM ， 而 SK 海力士則計劃在同一類別中采用上一代 1b DRAM 。 由于三星在 HBM 領域落后于 SK 海力士 ， 因此它寄希望于 DRAM 的代際飛躍來確保性能優勢 。 第二季度 ， 三星向其最大的 HBM 客戶英偉達交付了 HBM4 樣品 ， 目前正在進行質量測試 。 SK 海力士已于第一季度向英偉達交付了 HBM4 樣品 ， 并正在就明年的供應量進行磋商 。
SK海力士計劃在今年下半年大規模訂購1c DRAM設備 。 盡管其1c DRAM技術被認為已準備好立即量產 ， 但該公司仍采取謹慎的策略 ， 專注于為英偉達和其他主要客戶生產基于1b DRAM的第五代HBM（HBM3E） 。 SK海力士計劃在第三季度敲定明年的供應協議 ， 并在盈利能力得到保證后繼續投資 。
據悉 ， 在即將于本月25日舉行的韓美峰會上 ， 人工智能(AI)半導體成為重要議題 ， 三星電子、SK海力士等韓國主要半導體企業正在敲定對美國的追加投資計劃 。 報道成為 ， 三星電子在獲得特斯拉、蘋果等大型科技客戶大額訂單后 ， 正積極考慮擴大當地投資 ， 包括向去年底投資計劃中未包括的封裝設施追加10萬億韓元（約合72億美元） 。
三星電子原計劃向位于美國德克薩斯州泰勒市的晶圓代工(半導體代工)工廠投資440億美元 ， 但由于去年底業績不佳 ， 該公司調整投資節奏 ， 投資計劃隨后下調至370億美元 。 最初的投資計劃包括4nm和2nm晶圓代工工廠、先進封裝設施以及先進技術研發設施 。 然而 ， 由于當時難以獲得客戶 ， 導致先進封裝設施的 70 億美元投資全部被放棄 。
然而 ， 三星電子于7月28日與特斯拉簽署了價值23萬億韓元（165億美元）的AI芯片的多年供應合同 ， 并在短短十天后成功獲得蘋果圖像傳感器的訂單 ， 這進一步凸顯了其建設尖端封裝工廠的必要性 。 為了規避美國關稅壓力 ， 從核心芯片制造到后期處理 ， 所有環節都必須在本地完成 。 三星電子在爭取大型科技客戶方面最重要的優勢在于其集內存、晶圓代工和封裝于一體的交鑰匙服務 。
三星電子對于美國的追加投資 ， 預計不僅在封裝方面 ， 在設備和材料方面的投資也將增加 。 截至今年第一季度末 ， 泰勒Fab 1工廠的建設已完成91.8% ， 預計將于10月底竣工 。 三星電子計劃在年內先完成潔凈室的建設 ， 然后在明年陸續安裝半導體生產設備 。 一家為泰勒工廠供應半導體材料的公司的高管表示：“據我了解 ， 由于預期本地投資將增加 ， 目前正在就擴大供應進行商談 。 ”
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