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三星加速平澤5號工廠建設，擴大HBM4供應

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三星加速平澤5號工廠建設，擴大HBM4供應

三星平澤5號工廠計劃最早于下個月全面開工 。
據報道 ， 三星電子正在加速建設位于平澤的第五家工廠 ， 工人們正在現場搬運鋼結構并接受安全培訓 。 據悉 ， 該工廠計劃最早于下個月全面開工 。
三星電子原本計劃去年啟動第五工廠的建設 ， 但由于半導體業績不佳、內存訂單不足 ， 該公司調整了設備投資時機 ， 放慢了建設步伐 。 三星電子平澤工廠占地289萬平方米 ， 是全球最大的半導體生產基地 。 工廠共有六處廠房 。 自2017年第一家工廠投入運營以來 ， 第四家工廠的部分廠房目前已投入運營 。
去年隨第五工廠一起延期的第四工廠剩余生產線也正在準備復工 ， 預計下個月開始垂直鋼結構安裝 。 第五工廠將配備一條10納米第六代（1c）DRAM生產線 。 三星電子計劃采用1c工藝批量生產用于第六代產品HBM4的DRAM 。
三星電子近期已通過HBM4的內部量產審批 ， 并正在準備進行樣品生產 ， 以便與客戶進行供貨談判 。
三星電子上個月交付給英偉達的HBM4樣品已通過初始原型和質量測試 ， 并將于本月底進入“預生產（PP）”階段 。 “預生產”指半導體芯片量產前實施的最終驗證階段 ， 需要測試其與客戶 GPU 產品的兼容性 ， 以及在特定溫度下能否滿足高質量標準 。
三星電子上個月提供的 HBM4 原型只是一個“工程樣品” ， 用于驗證其運行情況 。 預生產階段完成后 ， 將開始向量產過渡 。 消息人士透露：“據我了解 ， 它們在質量和良率方面都獲得了積極評價 ， 并且已經進入了PP階段 。 如果通過PP階段 ， 將有望在11月或12月實現量產 。 ”
HBM4將用于英偉達下一代AI加速器Rubin 。 目前作為英偉達HBM獨家供應商的SK海力士已于3月交付HBM4樣品 ， 并于6月初開始批量供貨 ， 計劃于10月開始量產 。 三星電子若通過預生產階段 ， 將于11月開始量產 ， 迅速縮小與SK海力士的差距 。 另有消息稱 ， 三星電子的12層HBM3E產品也將通過英偉達的質量測試 ， 并于本月下旬開始交付 。 業界認為 ， 近期英偉達與SK海力士就HBM數量和價格同時進行談判 ， 是因為三星電子即將交付HBM 。
如果三星電子成功向英偉達供應HBM3E和HBM4 ， 預計明年AI內存市場格局將出現大幅波動 。 今年上半年 ， 三星電子在HBM市場的份額大幅下降至 17% ， 而去年同期為41% 。 同期 ， SK海力士的份額從55% 增至 62% ， 美光的份額從 4% 增至 21% 。 金融行業預測 ， 三星電子明年的HBM銷售額增長率可能翻一番以上 。
此外 ， 隨著HBM銷售額的增長 ， 三星電子也有可能在美國進行大規模追加投資 ， 例如將平澤工廠的DRAM出口到美國 ， 并在當地進行HBM封裝 ， 以規避美國關稅 。
關于HBM4的供應 ， 三星電子表示：“我們無法確認任何與客戶相關的細節 。 ”
據相關報道 ， SK海力士今年上半年向英偉達供應的12層HBM4產品單價在500美元左右 ， 比12層HBM3E產品單價（約300美元）高出60%至70% 。 這一溢價的背后 ， 是英偉達與SK海力士就其高性能AI芯片Rubin平臺的HBM4首批采購事宜展開了早期談判 。 英偉達對此表示不滿 。 SK海力士表示 ， 價格尚未最終確定 ， 目前無法透露與英偉達談判的具體細節 。
價格上漲的重要原因是首批HBM4產品設計和工藝復雜度的顯著提升 。 尤其值得一提的是 ， 從HBM4開始 ， 負責計算處理的“基礎芯片”（Base Die）采用基于臺積電4納米工藝的代工工藝制造 。 這種結構所需的加工成本是標準DRAM的兩倍多 ， I/O數量也比上一代增加了一倍多 ， 這增加了制造復雜性和成本 。
截至今年上半年 ， SK海力士幾乎是英偉達12層HBM3E產品的獨家供應商 。 在HBM3E業績的帶動下 ， SK海力士營收創下歷史新高 。 SK海力士還積極向英偉達供應12層HBM4樣品 ， 爭奪明年Rubin平臺的領先地位 。 不過 ， 下半年擴大產量的談判進展緩慢 ， 三星電子和美光公司都在向英偉達提供了HBM4樣品 ， 試圖實現供應鏈多元化 。 英偉達表示將在確認兩家公司的質量測試結果后最終確定價格和產量談判 。
有分析認為在2024年至2025年期間 ， 受AI半導體需求激增的推動 ， HBM市場年增長率預計將超過60% 。 HBM4是下一代高附加值存儲器 ， 與HBM3E相比 ， 帶寬和能效顯著提升 ， 預計將被應用于主流GPU和AI服務器芯片 。
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