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之前的舊EUV光刻機 ， 其NA=0.33 ， 也稱之為LOW NA EUV ， 用于制造7nm以下芯片 ， 其分辨率是13nm ， 理論上可以制造7-2nm的芯片
后來ASML推出了HIGH NA EUV ， 也就是NA=0.55的EUV光刻機 ， NA從0.33提升了40% ， 變成了0.55 ， 分辨率提升至了8nm ， 理論上可以用于2nm及后續芯片的制造 。
而相比于NA=0.33的EUV ， High na euv的價格貴了很多 ， 從曾經的10億元人民幣 ， 變成了30億元 。
所以臺積電表示 ， 2nm時肯定不買 ， 甚至說1.4nm時 ， 也應該也不會買 ， 臺積電會想辦法進行多重曝光 ， 用LOW NA EUV ， 也能制造出1.4nm芯片來 。
為何臺積電不買賬？就是因為太貴了啊 ， 30億一臺 ， 臺積電現有EUV光刻機上百臺 ， 如果全換成新的 ， 需要3000多億 ， 這怎么玩？所以臺積電要用舊的光刻機 ， 想辦法解決技術問題 。
而一旦臺積電不買單 ， ASML也就有點慌 ， 因為大客戶不要了 ， 這光刻機賣給誰？
所以ASML自從HIGH NA EUV推出以來 ， 就一直努力的找買家 ， 比如之前賣給了英特爾幾臺 ， 但英特爾也不要太多 。
近日 ， ASML終于找到了大買家 ， 那就是存儲芯片廠商 ， 比如SK海力士、三星 。
ASML已經交付給了SK海力士一臺Twinscan NXE:5200B ， 這是NA=0.55的高數值孔徑 EUV 光刻系統 ， 用于SK海力士制造DRAM HBM等芯片 。
另外ASML也交付給了三星EXE:5000 High-NA EUV ， 不是用于2nm芯片制造 ， 也是用于內存芯片 ， 以及HBM這些 。
ASML預計 ， 接下來隨著DRAM的高速發展 ， 特別是HBM的高速發展 ， 存儲芯片廠商有更高的工藝要求 ， 所以HIGH NA EUV可能會被存儲芯片廠商 ， 大規模采購 。
【太貴了，臺積電不買新EUV光刻機？但ASML找到了新買家】那么ASML的業績 ， 就不會因為新的EUV光刻機沒人買而受到影響了 ， 反而會因為HIGH NA EUV的熱銷 ， 而業績大漲 。
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