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黃仁勛現身臺積電在美國亞利桑那的工廠
AI背后是芯片 。
芯片的背后則是工廠 。
周五 , 英偉達與臺積電在美國亞利桑那的工廠 , 首次亮相首片Blackwell芯片晶圓 。
黃仁勛
這些晶圓最終將用來制作用于人工智能的Blackwell芯片 。
黃仁旭在現場說:「你們制造出了令人難以置信的東西 , 但你們終將意識到 , 你們是更為歷史性事件的一部分」 。
黃仁勛
其實 , 早在今年4月份 , 黃仁勛就拿出5000億美元豪賭美國本土的AI芯片制造 , 所謂「MadeinUSA」 。
【英偉達與臺積電合作,首片美國本土制造Blackwell芯片晶圓亮相】大半年過去 , 終于 , 最強芯片Blackwell首次在「美國本土造」出來了!
將世界級AI芯片制造遷到美國本土將臺積電的尖端制造能力引入美國 , 「芯片之父」稱之為「一項神來之筆 , 更是足以改變行業格局的里程碑 。 」
當我創辦臺積電時 , 我曾有一個夢想 , 那就是在美國建造晶圓廠 。
而今 , 夢想成真 。
在鳳凰城的廠區內 , 生產的齒輪已經提前開始轉動 。
而這里的總投資額 , 也已經攀升至一個驚人的數字——1650億美元 。
在人工智能的世界里 , 英偉達是所有贏家中的佼佼者 。
但即便是這位AI之王 , 也毫不諱言地承認:「沒有臺積電 , 這一切都無法實現 。 」
我們能在一個指甲蓋大小的芯片上 , 集成數十億個晶體管 。 我們發明了GPU , 徹底革新了計算機圖形學和人工智能 。
我們開創了加速計算的時代 , 而這一切 , 都憑借著他們(臺積電)為我們打造的芯片 。
在慶祝活動上 , 黃仁勛與臺積電運營副總裁共同登臺 , 在這片Blackwell晶圓上簽名 , 以紀念這一里程碑 。
它展示了驅動全球AI基礎設施的引擎正開始在美國本土制造 。
這片作為半導體基礎材料的晶圓 , 將經過分層、光刻(patterning)、蝕刻和切割等一系列復雜工藝 , 最終成型為英偉達Blackwell架構所提供的超高性能、加速計算AI芯片 。
臺積電亞利桑那州工廠將生產包括2納米、3納米和4納米芯片以及A16芯片在內的先進技術 , 這些對于AI、電信和高性能計算等應用都至關重要 。
臺積電
對于美國來說 , 這個宏大的項目 , 其意義早已超越了科技本身——它更象征著制造業的回歸 。
我們正在將就業機會帶回美國 , 建設能夠基業長青的芯片制造業 。
這或許是半導體產業在美國迎來的最重要的轉折點 。
新一代芯片美國本土下線Blackwell是英偉達新一代AI超級芯片 。
Blackwell架構第一次是在2024年3月18日的GTC大會上正式由黃仁勛在主旨演講中首次對外公布的 。
英偉達新一代AI超級芯片
簡單介紹下Blackwell的基礎架構 。
晶體管數/規模:Blackwell架構GPU擁有約2080億個晶體管 。
工藝/芯片制造:Blackwell芯片采用NVIDIA與TSMC合作定制的4NP工藝 。
芯片互連:為了突破單片硅片(reticle)面積限制 , Blackwell GPU由兩個子芯片組成 , 通過一種新的高帶寬接口互聯(NV-HBI)連接速度可達10TB/s(每秒10太字節) 。 通過這種方式 , 兩個子芯片可以在邏輯上看作一個統一的GPU , 從而實現「全性能鏈接」 。
英偉達新一代AI超級芯片
在GTC 2025上 , 黃仁勛提到Blackwell目前已處于「全面量產/全面投入」狀態 。
這次終于首片晶圓由美國本土生產下線 。
接下來 , Balckwell之后的系列 , 都有望在美國生產 。
Blackwell后面是Blackwell Ultra , 作為Blackwell架構的下一步演進版 , 用于應對更大模型推理、更高性能/帶寬需求的AI推理與訓練場景 。
Blackwell的下一代是由Rubin GPU + Vera CPU組成的「Vera Rubin」超芯片/平臺 。
黃仁勛在2025年GTC上公布 , 計劃2026年下半年上市 , 目標是下一階段的大模型訓練與推理 。
英偉達的芯片路線圖里把Feynman標為Rubin的后繼架構 , 時間窗口指向2028 年 。
在它之前會先在2027年推出Rubin Ultra 。
黃仁勛介紹產品
參考資料:
https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/
https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/
本文來自微信公眾號“新智元” , 作者:新智元 , 36氪經授權發布 。
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