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據(jù)中國光谷消息 , 國內(nèi)首條基于12寸40nm CMOS工藝線的全國產(chǎn)化硅光PDK(工藝設(shè)計(jì)套件)、TDK(測試設(shè)計(jì)套件)及ADK(封裝設(shè)計(jì)套件)流片服務(wù)平臺(tái)正式在光谷投用 , 該平臺(tái)由國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)建設(shè)運(yùn)營 。
國家信息光電子創(chuàng)新中心硅光芯片
傳統(tǒng)芯片靠電子傳輸數(shù)據(jù) , 好比汽車運(yùn)貨 。 硅光芯片則讓光子穿梭于光纖 , 變身“光速高鐵” 。 硅光芯片通過將光電轉(zhuǎn)換功能集成到單一芯片上 , 既保留了光纖通信的高帶寬特性 , 又大幅降低了系統(tǒng)復(fù)雜性和部署成本 。 以800G光模塊為例 , 采用硅光技術(shù)的產(chǎn)品相比傳統(tǒng)方案可節(jié)省約30%的功耗 , 同時(shí)體積縮小40%以上 。 這些優(yōu)勢使其成為云計(jì)算廠商和電信運(yùn)營商的首選方案 。
行業(yè)頂尖咨詢機(jī)構(gòu)LightCounting預(yù)計(jì) , 至2030年硅光芯片在光通信芯片市場占比將增至60% 。
然而 , 當(dāng)前國內(nèi)硅光產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)典型的“結(jié)構(gòu)性矛盾”:下游市場在AI算力、數(shù)據(jù)中心升級(jí)等強(qiáng)勁需求的驅(qū)動(dòng)下嗷嗷待哺 , 而上游的制造環(huán)節(jié)卻無法提供足夠多高質(zhì)量、高效率的流片產(chǎn)能 。 造成這一困境的痛點(diǎn)之一就是PDK , 即工藝設(shè)計(jì)套件 , 常規(guī)工藝線提供的PDK往往無法支撐產(chǎn)品級(jí)芯片的研發(fā)和量產(chǎn) 。 其背后的原因是工藝不穩(wěn)定 , 數(shù)據(jù)積累不夠 。 這導(dǎo)致設(shè)計(jì)師“摸著石頭過河”多次流片迭代 , 設(shè)計(jì)性能與流片結(jié)果差異大 , 反復(fù)試錯(cuò) , 拉長周期 , 推高成本 。 且單次流片成本高昂 , 失敗代價(jià)巨大 , 導(dǎo)致設(shè)計(jì)公司在投片前過度謹(jǐn)慎 , 主觀上進(jìn)一步拉長了前期的設(shè)計(jì)周期 。
今年9月 , 國家信息光電子創(chuàng)新中心發(fā)布全國產(chǎn)化12寸硅光全流程套件(PDK/ADK/TDK) 。 其中PDK工藝設(shè)計(jì)套件基于國內(nèi)首個(gè)40nm先進(jìn)商用硅光工藝平臺(tái)(波導(dǎo)損耗<0.2dB/cm , 薄膜厚度控制精度±1%) , 集成設(shè)計(jì)、驗(yàn)證工具鏈 , 大幅縮短研發(fā)周期;2TDK測試設(shè)計(jì)套件首創(chuàng)“設(shè)計(jì)即測試”理念 , 建立標(biāo)準(zhǔn)化、可追溯的測試體系 , 保障芯片從晶圓到成品的“高質(zhì)量、零誤差”可靠交付;3ADK封裝設(shè)計(jì)套件融合光電子封裝規(guī)則 , 支持高密度集成與靈活定制 , 顯著降低封裝成本與周期 。
12寸硅光芯片流片平臺(tái)創(chuàng)新構(gòu)建硅光MPW服務(wù)模式 , 通過將多個(gè)芯片設(shè)計(jì)集成于同一晶圓流片 , 實(shí)現(xiàn)成本分?jǐn)?, 大幅降低研發(fā)門檻 。 平臺(tái)基于40nm制程的硅光PDK1.0性能總體達(dá)到商用要求 , 其加工精度、波導(dǎo)損耗、光耦合效率等指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平 。 除了PDK外 , 平臺(tái)還集成了TDK和ADK , 可提供芯片從集成設(shè)計(jì)到封裝驗(yàn)證的全流程支撐 , 可滿足科研成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)品研制中的快速迭代需求 , 助力項(xiàng)目加速落地 。
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