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按照大家的常規(guī)理解 ， 目前制造7nm及以下的芯片 ， 必須用到EUV光刻機 。
因為很多人都認為 ， 浸潤式DUV光刻機 ， 就算通過水的折射 ， 等效于134nm的波長 ， 但其理論極限大約在38nm左右的半節(jié)距 ， 是搞不定不了7nm及5nm ， 甚至更先進的芯片的 。
事實上 ， 7nm芯片的半間距是27-30nm左右 ， 所以明顯直接用浸潤式DUV ， 肯定是制造不了7nm芯片的 。
但是 ， 當沒有EUV光刻機的情況之下 ， 依然有解決辦法 ， 那就是用刻蝕設備來湊 。
大家應該都清楚 ， 目前我們并沒有EUV光刻機 ， 但實際上已經制造出等效的7nm芯片了吧 ， 那就是浸潤式DUV+刻蝕機的功勞 。
可以用浸潤式DUV ， 結合刻蝕和薄膜設備 ， 經過多次曝光后 ， 實現(xiàn)7nm工藝 ， 未來甚至能實現(xiàn)5nm、3nm工藝 。
芯片的制造過程 ， 其實就是類似投影儀 ， 把光罩上的芯片電路圖轉移至硅晶圓上 。
正常來講 ， 如果光刻機的分辨率夠用 ， 一次就可以將一個光罩上的圖全部投影到硅晶圓上了 ， 不需要多次 。
【EUV光刻機買不到，我們用刻蝕設備來湊！】但如果光刻機的分辨率不夠時 ， 則只能將一個光罩上的圖 ， 拆分成N個光罩 ， 比如一個字 ， 正常分辨率夠的話 ， 一次就刻錄出來了 ， 但如果分辨率不夠怎么辦 ， 那就將字拆解成筆畫 ， 一筆一筆的刻 。
而這個過程 ， 就是三大工藝不斷的循環(huán) ， 光刻、薄膜沉積、刻蝕三大工藝循環(huán) ， 最終把芯片電路 ， 分成N次 ， 拆分成N個光罩 ， 最后把所有的圖 ， 都逐層轉移到晶圓上 。
在這個過程之中 ， 刻蝕設備的要求 ， 是越來越高 ， 要考慮刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性 ， 因為刻蝕完成后 ， 又馬上要進行另外一個循環(huán) ， 對刻蝕設備的要求更高了 ， 任何一點問題 ， 都會影響到下一次的循環(huán) ， 那良率就會出現(xiàn)大問題 。
事實上 ， 隨著芯片向3D等結構轉變 ， 芯片工藝的提升 ， 不再僅僅是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù) ， 那么這種3D芯片的蝕刻也會越來越難 ， 所以未來刻蝕設備的地位 ， 可能也會越來越重要 。
所以行業(yè) ， 確實會有一個趨勢 ， 那就是EUV越來越沒有那么重要 ， 刻蝕會越來越重要了 。
目前 ， 國內刻蝕設備 ， 其實表現(xiàn)的還是不錯的 ， 像中微、應用材料、屹唐半導體 ， 雖然起步晚 ， 但在技術上 ， 都有所突破 。 在全球份額中 ， 也拿到了10%以上的份額 ， 算是一個不錯的成績了 。
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