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英偉達測試最高分，三星HBM4有望明年一季度簽約

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英偉達測試最高分，三星HBM4有望明年一季度簽約

本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
業內預計雙方有望在明年一季度正式簽署供貨協議 ， 并于二季度啟動規?；桓?。
據業內消息人士透露 ， 三星電子下一代高帶寬內存HBM4 ， 在英偉達計劃于明年推出的新一代人工智能加速器相關測試中 ， 斬獲了最高評價分數 。
據悉 ， 英偉達團隊已到訪三星電子 ， 對HBM4 的系統級封裝（SiP）測試進展情況進行核驗 。 在此次評測中 ， 三星在運行速度與能效表現兩項核心指標上 ， 均位列一眾內存廠商之首 。 這一測試結果讓外界對三星順利通過英偉達 HBM4 產品質量認證、并于明年上半年正式啟供抱有更高期待 。
有消息稱 ， 英偉達對三星HBM4的采購需求量 ， 遠超三星內部此前的預期規模 ， 這或將為三星帶來可觀的業績提振 。
綜合三星平澤P4生產線的擴產規劃與產能情況 ， 業內人士預計 ， 雙方有望在明年一季度正式簽署供貨協議 ， 并于二季度啟動規模化交付 。 對于與英偉達測試流程相關的事宜 ， 三星方面拒絕作出官方回應 。 不過業內人士指出 ， “與HBM3E 研發階段不同 ， 三星內部研發團隊普遍認為 ， 公司在HBM4領域已取得先發優勢 。 ”
而SK海力士方面 ， 已于 9 月底完成 HBM4 量產準備工作 ， 進度較三星領先約三個月 。 SK海力士已向英偉達交付付費樣品 ， 實質進入試產階段 。 近日有報道稱 ， SK海力士原計劃于2026年2月左右開始量產HBM4 ， 并從第二季度末開始大幅提升HBM4產能 。 但近期上述計劃有所調整 。 SK海力士HBM4的量產已推遲至明年3月或4月 ， HBM4產能大幅擴張的時間也進行了靈活調整 。 此外 ， HBM4量產所需材料和零部件的采購速度也較以往有所放緩 。
相較于 HBM3E 商業化進程中雙方近一年的差距 ， 三星電子與SK海力士在 HBM4 領域的進度差距已大幅縮小 。
隨著HBM4規?；慨a預計于明年二季度落地 ， 加之三星在SiP測試中取得優異成績 ， 其產品供貨量或將進一步提升 。 SiP（系統級封裝） 是一種將多枚半導體芯片集成至單一封裝內的先進封裝技術 。 具體到 HBM4 產品 ， 該技術需將圖形處理器、內存芯片、中介層以及電源管理芯片等核心組件整合為一個封裝體 ， 因此SiP 測試也成為產品走向規模化量產的最后一道關鍵關卡 。
而美光方面 ， 其最新財報中指出 ， 其HBM4將在2026日歷年第二財季按計劃量產并實現高良率產能爬坡 。 HBM4在基礎邏輯芯片和DRAM核心芯片上采用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術 ， 這些芯片均由美光自主設計與制造 。 在財報會議上 ， 美光高管透露 ， 公司2026年（日歷年）全年高帶寬內存（HBM）的供應量已就價格和數量與客戶達成協議 ， 全部售罄；并且 ， 公司還預計HBM總潛在市?。 ═AM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元） ， 較此前指引提前兩年 。
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