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DDR4和DDR5內(nèi)存對比 ddr4和ddr5的性能差距大嗎

隨著intel十二代酷睿處理器上線,支持DDR5內(nèi)存的600系列主板也隨之到來,首款支持DDR5內(nèi)存的是Z690芯片組,不過intel對于新一代的600系列主板并沒有做到一刀切,而是分為DDR4和DDR5兩種版本的Z690主板,用戶可按個人需求來選擇內(nèi)存方案,當然后期不排除廠商會推出DDR4和DDR5內(nèi)存雙支持的主板 。不過由于DDR5內(nèi)存剛剛上市,所以無論是支持DDR5的主板還是DDR5內(nèi)存都比較昂貴,上市初期最便宜的16G DDR5 4800MHz頻率都需要千元左右的價位 。那么內(nèi)存DDR5和DDR4的區(qū)別是什么?下面裝機之家分享一下DDR4和DDR5內(nèi)存的性能差距對比 。

DDR4和DDR5內(nèi)存對比 ddr4和ddr5的性能差距大嗎


DDR5內(nèi)存
內(nèi)存DDR5和DDR4的區(qū)別是什么?
1、內(nèi)存頻率
DDR5相比DDR4頻率實現(xiàn)翻倍!DDR4剛上市時,主流內(nèi)存頻率一般只有2133和2400MHz,后期才進一步將內(nèi)存頻率提升到2666Mhz或以上,目前旗艦級DDR4內(nèi)存頻率可以做到4266MHz或更高 。而DDR5內(nèi)存上市初期發(fā)布的起步頻率就是4800MHz,基本到達DDR4內(nèi)存極限了,DDR5內(nèi)存除了4800MHz頻率,同時發(fā)布的還有更高的5200MHz和6400MHz頻率,后續(xù)可能還會更高 。
2、工作電壓
DDR5相比DDR4擁有更高的能耗比!DDR4的工作電壓為1.2V,而DDR5的工作電壓下降至1.1V,功耗降低8%,意味著更加省電節(jié)能 。
3、PMIC電源管理芯片
DDR4內(nèi)存的PMIC電源管理芯片是集成在主板上的,DDR5還將PMIC電源管理芯片從主板集成到內(nèi)存PCB板上面,它是智能電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)的大腦,在監(jiān)控電流的同時促進電壓斜坡和電平的可配置性,減輕主板電源管理的負擔 。
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4、單芯片密度
DDR5單芯片密度較高,單顆粒可達16GB,而DDR4單顆粒只有4GB容量,所以DDR4的內(nèi)存容量會做的更大,單根內(nèi)存達到256G甚至512G很正常,不過在消費級市場上,目前的內(nèi)存需求還沒有達到如此大,可能更多的會運用在高端消費級上 。
5、接口不同
DDR4和DDR5在防呆口位置有略微的變動,意味著兩者不能相互兼容,想要支持DDR5內(nèi)存,那么主板必須要配備DDR5插槽才可以兼容DDR5內(nèi)存,無法使用在DDR4插槽中 。
DDR4和DDR5內(nèi)存對比 ddr4和ddr5的性能差距大嗎


6、帶寬速度
內(nèi)存帶寬傳輸速度不同,以DDR4 3200頻率為例,帶寬為25.6GBps,DDR5 4800頻率的帶寬為38.4GBps 。
7、ECC內(nèi)存糾錯機制
DDR5內(nèi)存加入了ECC糾錯功能,不過此ECC非彼ECC,只在DDR5中加入的是On-die Ecc糾錯功能,可以理解為ECC的低配版,On-die Ecc只能糾錯內(nèi)存內(nèi)部,而常說的Ecc,一般會有額外的顆粒分配給Ecc功能,能糾錯運行中通信上的錯誤 。DDR5內(nèi)存上ECC功能主要還是提高內(nèi)存的穩(wěn)定性,降低藍屏概率 。
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8、單根組建雙通道?
我們知道,兩根DDR4內(nèi)存才可以組建雙通道,不過DDR5內(nèi)存單根內(nèi)存就可以實現(xiàn)雙通道,通過CPU-Z檢測,如果插入一條DDR5內(nèi)存,通道數(shù)就可以識別為雙通道,但是并非是完全意義的雙通道,可以理解為偽雙通道 。我們可以理解為原本DDR4內(nèi)存只有一條64Bit通道傳輸數(shù)據(jù),雙通道為2x 64bits,而DDR5內(nèi)存是通過拆分為2條32Bits,從而達到了1根內(nèi)存雙通道的效果,當然想要達到真正的雙通道理想值,還需要使用2根內(nèi)存組建 。
DDR4和DDR5內(nèi)存對比 ddr4和ddr5的性能差距大嗎


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