什么是mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下 ， 這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的 。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后 ， 在輸出端輸出一個大的電流變化 。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta） 。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管 。
【mos是什么 ?MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解】
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流 。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體 ， 所以FET管的GATE電流非常小 。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管 ， 或 ， 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET） 。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管 。
mos管優(yōu)勢
1.可應(yīng)用于放大 。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器 。
2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 。
3.可以用作可變電阻 。
4.可以方便地用作恒流源 。
5.可以用作電子開關(guān) 。
6.在電路設(shè)計上的靈活性大 。柵偏壓可正可負(fù)可零 ， 三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作 。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負(fù)載，易于跟前級匹配 。
MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解
1、結(jié)構(gòu)和符號（以N溝道增強(qiáng)型為例）
在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極 。
其他MOS管符號
2、工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）
（1）VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結(jié)反偏，所以不存在導(dǎo)電溝道 。
VGS=0，ID=0
VGS必須大于0 ， 管子才能工作 。
（2）VGS》0時，在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個垂直于半導(dǎo)體表面的電場，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子 。當(dāng)VGS達(dá)到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道 。
VGS》0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道
VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑
（3）VGS≥VT時而VDS較小時：
VDS↑→ID↑
VT：開啟電壓，在VDS作
用下開始導(dǎo)電時的VGS°
VT=VGS—VDS
（4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷 ， 形成夾斷區(qū) 。
VDS↑→ID不變
mos管三個極分別是什么及判定方法
mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通 。
1.判斷柵極G
MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點(diǎn)評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率 ， MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容 ， 假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時間 。
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐 。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的 。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻 。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻 ， 此時黑表筆的是S極 ， 紅表筆接D極 。因?yàn)闇y試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些 。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極 。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值） 。
測試步驟：
MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大 。
其步驟如下：
假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象 。
1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電 ， 不變則完好
2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好 。
3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大 。
4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上 ， 然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0 ， 這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電?。蛭緋〔賈碌嫉綣檔樂率孤┘馱醇紀(jì)?nbsp;， 故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好 。
MOS管（場效應(yīng)管）的應(yīng)用領(lǐng)域
1：工業(yè)領(lǐng)域、步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源
2：新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無人機(jī)
3：交通運(yùn)輸領(lǐng)域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車
4：綠色照明領(lǐng)域、CCFL節(jié)能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮(zhèn)流器
MOS管降壓電路
圖中Q27是N溝道MOS管，U22A的1腳輸出高電平時Q27導(dǎo)通 ， 將VCC—DDR內(nèi)存電壓降壓，得到1.2V—HT總線供電，而U22A的1腳輸出低電平時Q27截止 ， 1.2V_HT總線電壓為0V 。
