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芯片|國產17nm工藝內存芯片良率已達40% Q2首發供應DDR4

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芯片|國產17nm工藝內存芯片良率已達40% Q2首發供應DDR4

經過幾年的追趕 ， 國產DRAM內存芯片由合肥長鑫在2019年量產 ， 首發的是19nm工藝 ， 今年合肥長鑫就要推出下一代的17nm工藝內存芯片了 ， 不過首發產品不是傳聞中的DDR5 ， 而是DDR4 。

來自大摩的分析稱 ， 合肥長鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經達到了40% ， 預計Q2季度就會給客戶供應產品 ， 其成本相比臺系廠商的20nm、25nm工藝內存更有優勢 。
至于生產方面 ， 大摩稱合肥長鑫的產能今年會增加到8萬片晶圓/月 ， 并在北京新建工廠 ， 量產17nm工藝內存芯片 。
此前的報道中 ， 長鑫還會研發7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存 ， 再下一代的10G5工藝中 ， 除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存 。
【芯片|國產17nm工藝內存芯片良率已達40% Q2首發供應DDR4】此外 ， 長鑫在2020年、2021年分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標 ， 2022年的產能目標是12萬片晶圓/月 ， 未來的產能目標是30萬片晶圓/月 。

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