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高通驍龍|3nm被三星領(lǐng)先？臺(tái)積電不服，我要砸1萬億，搞2nm芯片

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高通驍龍|3nm被三星領(lǐng)先？臺(tái)積電不服，我要砸1萬億，搞2nm芯片

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高通驍龍|3nm被三星領(lǐng)先？臺(tái)積電不服，我要砸1萬億，搞2nm芯片

眾所周知 ， 在3nm芯片上 ， 臺(tái)積電表面上看確實(shí)落后了 。
一是三星將先于臺(tái)積電推出3nm芯片 ， 臺(tái)積電的計(jì)劃到到2023年一季度才規(guī)模量產(chǎn) ， 而三星則計(jì)劃在2022年三季度就會(huì)量產(chǎn) 。
二是在3nm上 ， 三星已經(jīng)開始使用最先的GAAFET晶體管技術(shù) ， 而臺(tái)積電還在死守老邁的FinFET晶體管技術(shù) 。

在這樣的情況之下 ， 臺(tái)積電其實(shí)也是很急的 ， 畢竟3nm工藝上 ， 確實(shí)是三星領(lǐng)先了 ， 臺(tái)積電只能說自己的產(chǎn)能更高 ， 良率更高來挽回點(diǎn)顏面了 。
那臺(tái)積電怎么辦？只能在下一次競爭中 ， 爭取領(lǐng)先了 ， 那就是在2nm上 ， 臺(tái)積電覺得自己不能再落后臺(tái)積電了 ， 一定要領(lǐng)先 。
為此 ， 近日臺(tái)積電宣布 ， 要投1萬億新臺(tái)幣（約合人民幣2290億元） ， 砸向2nm ， 在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū) ， 爭取這次更領(lǐng)先 。

事實(shí)上 ， 在今年4月份 ， 臺(tái)積電已經(jīng)拿下了竹科 2nm晶圓廠的用地 ， 同時(shí)臺(tái)積電表示今年會(huì)啟動(dòng)2nm工業(yè)園區(qū)的建設(shè) ， 然后在2025年的時(shí)候會(huì)實(shí)現(xiàn)2nm量產(chǎn) ， 并且要領(lǐng)先所有對手 。
且在2nm時(shí) ， 臺(tái)積電也終將拋棄目前在用的FinFET晶體管技術(shù) ， 采用全新的GAAFET晶體管技術(shù) ， 另外還可能會(huì)采用Nanosheet / Nanowire 的晶體管架構(gòu)、高遷移率組件和全新的2D材料 。
臺(tái)積電為了2nm ， 可是準(zhǔn)備良多 ， 甚至還考慮過石墨烯之外的新材料 ， 來用于2nm工藝 ， 只是進(jìn)度未知 。

另外IBM也提出了2nm芯片技術(shù) ， 還有英特爾也在發(fā)力晶圓制造 ， 想要在2nm時(shí)代追上三星、臺(tái)積電等巨頭 。
【高通驍龍|3nm被三星領(lǐng)先？臺(tái)積電不服，我要砸1萬億，搞2nm芯片】可見 ， 到2nm時(shí) ， 整個(gè)晶圓制造領(lǐng)域會(huì)非常熱鬧 ， 三星、臺(tái)積電、英特爾、IBM會(huì)各展神通 ， 就看誰最終能夠勝利了 ， 至于大陸廠商 ， 暫時(shí)沒參與資格 ， 還在14nm ， 進(jìn)入10nm都困難 ， 真是可惜啊 。
臺(tái)積電CEO魏哲家曾表示 ， 2nm將會(huì)是臺(tái)積電最成熟與最適合的支持客戶成長的技術(shù) ， 同時(shí)2nm技術(shù)將用上好幾年 ， 因?yàn)樵龠M(jìn)一步就要到埃米級(jí) ， 難度越來越大 ， 所以2nm將至關(guān)重要 。

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