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聯合復旦大學，上海企業制造“二維芯片”，5年內實現全國產1nm

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聯合復旦大學，上海企業制造“二維芯片”，5年內實現全國產1nm

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聯合復旦大學，上海企業制造“二維芯片”，5年內實現全國產1nm

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目前最強的芯片工藝是2nm ， 臺積電、三星在今年會量產 ， 同時intel的18A也會量產 。
按照正常的演變路徑 ， 在2028年的時候 ， 可能會進入1.4nm ， 然后在2030年的時候 ， 會進入1nm 。
不過 ， 這些發展的路徑 ， 理論上都是三星、臺積電、intel的事情 ， 和我們關系不大 ， 因為按照正常的邏輯 ， 沒有EUV ， 進入5nm之下都困難 。

那么我們怎么辦？按照傳統的硅基芯片光刻方案來看 ， 第一步 ， 必須要自研出EUV光刻機 ， 才有可能突破5nm了 。
不過 ， 近日 ， 有一家上海企業 ， 給出了另外一條道路 ， 那就是制造“二維芯片” ， 不需要EUV ， 也可以在5年內 ， 就實現1nm芯片的全國產 。

這家上海企業叫做原集微科技（上海）有限公司 ， 目前已經點亮了國內首條“二維半導體”工程化驗證示范工藝線 。
什么叫二維半導體？與現在的光刻不一樣 ， 現在的光刻工藝 ， 是利用光刻機 ， 通過一系列的流程 ， 最終在硅晶圓上“雕琢”出晶體管 。
而二維半導體 ， 則是不需要用光刻機去進行原子級別的雕琢 ， 而是讓特定材料的原子自發地“生長”出來 ， 直接形成近乎“二維平面”的結構 。
【聯合復旦大學，上海企業制造“二維芯片”，5年內實現全國產1nm】
這種方式 ， 相比于傳統的光刻工藝 ， 節省80%的流程 ， 比如不需要離子注入、外延生長 ， 對光刻機的要求也不高 ， 普通的DUV光刻機 ， 甚至就能夠實現最先進的芯片 。
并且這種二維芯片 ， 相比于傳統的芯片 ， 在漏電、發熱方面表現更好 ， 可以說非常適合當前的中國芯片產業 ， 因為我們沒有EUV光刻機啊 。
原集微是一家脫胎于復旦大學科研團隊的企業 ， 成立于2025年 ， 創始人包文中是上海復旦大學微電子學院研究員博士生導師 ， 他與周鵬教授 ， 一直就在研究二維半導體材料 。

之前他與周鵬教授合作 ， 就推出了全球首款二維芯片--“無極” ， 集成了5900個晶體管 ， 全球最多 ， 技術最領先 ， 相關成果發布在《自然》上 。
如今他開始校企結合 ， 成立原集微公司 ， 就是想將研究成果落地 ， 助力中國芯崛起 。
按照計劃 ， 今年6月份設備跑通 ， 9月份就會完成小批量的制造 ， 工藝大約會是90nm芯片的水平 ， 然后2027年實現28nm的水平 ， 2028年實現3-5nm的水平 ， 到2030年時 ， 會達到1nm的水平 ， 并且這個1nm ， 會是全基于國產設備 ， 完全的自主可控的 。
接下來 ， 就看能不能最終實現這個目標了 ， 如果真實現了這個目標 ， 那么中國芯片就實現歷史性的跨越 ， 真正彎道超車 ， 再也不用怕被卡脖子了 。

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