2月24日消息 ， 據路透社報道 ， 荷蘭光刻機大廠ASML在極紫外光（EUV）技術上取得了新的關鍵進展 ， 計劃將光源功率由600W提升至1000W 。
而一旦EUV光源提升至1000W ， ASML的EUV光刻機的產能就可由每小時220 片提升至330 片 ， 單位產出成本則基本維持不變 。
也就是說 ， 在既有產線架構與空間條件下 ， 僅通過對EUV光刻機的升級 ， 即可實現約50%的產能增長 ， 將直接改善晶圓廠的營運效率與資本支出配置結構 。ASML 技術主管Michael Purvis 表示 ， 這套1000W光源系統并非短時間實驗成果 ， 而是在符合客戶量產環境所有條件下 ， 能穩定運作的完整解決方案 。 他強調 ， 該技術已達可實際部署標準 ， 而非僅止于實驗展示 。
在導入策略方面 ， ASML 過去曾向客戶提供“生產力強化套件”（Productivity Enhancement Packages ， PEP） ， 讓EUV光刻機可在不更換整機的前提下進行升級 。
不過 ， 早期NXE:3400C/D 機型曾因熱負載上限而面臨技術瓶頸 ， 后續才逐步導入更高功率光源 。 因此 ， 市場推測此次升級方案將優先鎖定較新的NXE:3800E 系列 ， 以及High-NA EUV 機型EXE:5000 與EXE:5200 。
至于競爭對手 ， 盡管中國積極推動自主半導體設備研發 ， 美國新創Substrate亦嘗試以粒子加速器產生更短波長X光線的技術路線切入市場 ， 并宣稱成本具優勢 ， 但在量產級EUV 曝光領域 ， ASML 目前仍維持主導地位 。
不過 ， 光源功率提升同時也帶來工程層面的新挑戰 ， 包括更高的用電需求、散熱能力提升 ， 以及氫氣流量與穩定度控制等問題 。 晶圓廠在評估升級效益之際 ， 亦須同步觀察既有基礎設施是否足以支撐更高功率運作條件 。
【ASML擬將EUV光源提升至1000W，晶圓產能可提升50%】編輯：芯智訊-林子
推薦閱讀
- ASML將極紫外功率提升至1000瓦 以提升良率并降低芯片成本
- 領先中國30年！沒日本光刻膠，ASML光刻機就是廢鐵？真相太扎心了
- 拒絕被拿捏！中國光刻機正面硬剛荷蘭ASML公司，美制裁淪為笑話
- 歐洲反擊：美國也依賴我們關鍵芯片技術 小心斷供ASML光刻機等
- 三星美國勒泰廠將于3月啟動EUV光刻機測試，下半年投產
- 復旦博導創業，5年內搞定國產1nm芯片！不依賴EUV光刻機
- 2031年，EUV光刻掩膜版市場規模將達到13.6億美元
- 英特爾Fab 52揭秘：已安裝4臺EUV光刻機，規劃月產能4萬片
- ASML狂喜：EUV光刻機除了造芯片，還能用于醫藥了？
- 中國秘密組裝EUV光刻機！這件事到底是真，還是假？