為反超三星,SK海力士或在HBM4E上引入臺積電3nm工藝

為反超三星,SK海力士或在HBM4E上引入臺積電3nm工藝

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為反超三星,SK海力士或在HBM4E上引入臺積電3nm工藝
在數據中心大量需要HBM內存的情況下 , 三星可以說是出盡了風頭 。 但其實 , SK海力士才是HBM市場的老大 。 去年第三季度 , SK海力士的營收市占率達57% , 而三星和美光則分別只有22%和21% 。 但在市場風評中 , SK海力士的HBM4性能卻不如三星 , 這使得他們有些尷尬 , 在HBM4E上將著重提升性能 , 以奪回被三星搶走的風頭 。
SK海力士在CES2026上展示的HBM4
據韓國《朝鮮日報》報道 , SK海力士正在考慮引入臺積電的3nm工藝作為HBM4E邏輯芯片的主要制造工藝 , 因為他們提供給英偉達的HBM4采用10nm級第五代(1b)DRAM核心芯片和基于臺積電12nm工藝的邏輯芯片 , 而三星則是10nm級第六代(1c)DRAM工藝的核心芯片和4nm工藝的邏輯芯片 , 從制程上就可以看出三星的HBM4性能會更優秀 , 三星也是業內首個量產出貨HBM4的公司 , 結結實實地搶了SK海力士的風頭 。

在HBM4產品上 , SK海力士是英偉達的最大供應商 。 業內人士稱 , 其拿下了英偉達HBM訂單的至少2/3 , 遠高于三星 。 但畢竟SK海力士要大批量供貨 , 所以把穩定性和良率放在重點 。 現在SK海力士看到自己落后了這么多 , 也決心提高自己產品的性能 , 于是有引入臺積電3nm制程生產邏輯芯片的打算 。

【為反超三星,SK海力士或在HBM4E上引入臺積電3nm工藝】不過業內人士指出 , 在目前“定制化HBM”風潮下 , 客戶會選擇根據自己的需求來定制邏輯芯片 , 所以不管是3nm還是12nm制程都會被考慮進來 。 考慮到英偉達下一代的頂級AI芯片Vera Rubin Ultra版本大概率會用到更先進的HBM4E , SK海力士如果不希望訂單被三星搶走 , 上3nm制程會是必選項 。 三星都已經在英偉達GTC2026大會上秀出自己的HBM4E了 , SK海力士看著能不著急嗎?

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