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存儲巨頭宣布開始出貨，4月向戴爾供貨

閃存戴爾sk海力士

存儲巨頭宣布開始出貨，4月向戴爾供貨
4月8日 ， SK海力士宣布 ， 已正式出貨最新款cSSD（客戶端/消費級固態硬盤）產品PQC21——該產品為業內首款采用321層QLC NAND閃存的終端存儲解決方案 。
自4月起 ， SK海力士已啟動向戴爾科技集團的批量供貨 ， 同時逐步拓展與其他全球頭部客戶的合作 。 SK海力士表示 ， 依托當前發展態勢 ， 公司目標是主導下一代AI PC存儲市場 ， 并明確將加大投入 ， 擴大其在QLC架構cSSD領域的市場份額 。

【存儲巨頭宣布開始出貨，4月向戴爾供貨】據SK海力士介紹 ， 這款cSSD將321層超高堆疊技術與QLC架構相結合 ， 借助QLC每單元4比特的設計優勢 ， 在相同物理尺寸下 ， 顯著提升存儲密度 ， 最大化容量效率 。
該產品提供1TB和2TB兩種容量版本 ， 可滿足不同工作負載及部署場景需求 ， 為客戶提供更高靈活性 。
據Chosun Biz報道 ， 目前TLC仍是NAND閃存市場的主流標準 ， 但隨著人工智能驅動的工作負載激增 ， 市場對高容量存儲的需求空前提升 ， QLC的市場滲透率正持續上升 。
《韓國先驅報》補充說明 ， NAND閃存按每存儲單元存儲位數可分為SLC（1位）、MLC（2位）、TLC（3位）、QLC（4位）及PLC（5位） 。 位密度越高 ， 單個存儲單元可存儲的數據量越多 ， 相同物理尺寸下可實現更高存儲容量 。
與此同時 ， 韓國科技媒體指出 ， 盡管QLC在存儲密度上優勢顯著 ， 但其性能（尤其寫入速度）一直落后于TLC 。 為彌補這一短板 ， SK海力士采用SLC緩存技術 ， 將數據暫時寫入速度更快的模擬SLC（pSLC）緩存區 ， 再傳輸至QLC單元 ， 有效提升寫入性能 。
值得關注的是 ， SK海力士正持續拓展人工智能服務器及數據中心市場——此類市場對存儲容量需求巨大 。 繼2024年推出61TB QLC架構企業級固態硬盤（eSSD）PS1012后 ， 該公司正推進超高容量解決方案研發 ， 包括采用321層4D NAND閃存的244TB產品及更高容量型號 。

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