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又一氮化鎵廠商倒閉！

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又一氮化鎵廠商倒閉！

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EasyGaN宣布倒閉 ， 網站已關閉 。
近日 ， 法國氮化鋁（AlN）初創公司EasyGaN因未能籌集到更多資金而倒閉 ， EasyGaN網站現已關閉 。
EasyGaN CEO、前英特爾平臺經理Andre Bonnardot表示：“盡管我們盡了最大努力 ， 但仍未能獲得繼續開展項目所需的資金 。 如果您對通過MBE開發的AlN和硅基GaN技術感興趣 ， 請聯系CRHEA/CNRS實驗室的Fabrice Semond ， 他負責并支持了我們 。 ”
氮化鋁（AlN）填料是一種高性能的材料 ， 常用于提高塑料、橡膠和復合材料等的熱導率、電絕緣性和機械強度 ， 其具有高熱導率 ， 可達170-200 W/m·K ， 這使得其尤其適合需要散熱的電子器件；具有良好的電絕緣性 ， 體積電阻率可達1014 Ω·cm ， 常用于電器絕緣材料；熱膨脹系數接近硅 ， 可用于與硅芯片匹配的封裝材料；耐化學腐蝕性強 ， 除了氫氟酸和堿性溶液外 ， 氮化鋁對大多數酸和堿都有良好的穩定性 。
然而氮化鋁的缺點是生產成本相對較高 ， 這限制了其在低成本產品中的廣泛應用 。 此外 ， 其制備過程中需在高溫下進行 ， 對設備要求較高 。
根據相關報告 ， 2023年全球氮化鋁填料市場規模大約為0.68億美元 ， 預計2030年將達到1.14億美元 ， 2024-2030期間年復合增長率（CAGR）為6.3% 。
EasyGaN坐落于法國Sophia Antipolis ， 公司專注于利用分子束外延（MBE）技術在硅晶圓上開發AlN層 。 相較于其他技術 ， MBE技術能夠實現對材料結構更為精確的控制 。 通過這項技術 ， EasyGaN成功制造出比傳統晶圓技術薄三倍的層 ， 為代工廠和芯片公司提供了生產毫米波射頻芯片的全新可能 。
值得一提的是 ， 毫米波射頻芯片作為現代通信技術的關鍵組件 ， 其性能的提升對于5G乃至未來6G通信的發展至關重要 。
除此之外 ， EasyGaN還在研究硅襯底氮化鎵異質外延領域 。 眾所周知 ， 高質量硅基氮化鎵的生長在許多方面都面臨挑戰 ， 尤其是大的晶格和熱膨脹系數失配 ， 導致不良缺陷 ， 如高密度的穿透位錯和裂紋 。 此外 ， 硅表面對外延生長過程中涉及的許多化學物質都有很強的反應性 ， 例如氮的存在會導致氮化 ， 鎵會導致回溶蝕刻 ， 而鋁則會擴散到高電阻硅襯底中 。
此前 ， EasyGaN團隊使用MBE技術成功在硅晶圓上開發AlN層 ， 團隊在研究能否將該技術復制到氮化鎵領域 。
行業洗牌 ， 氮化鎵產業已步入整合期當前氮化鎵行業已經步入到整合期 ， 除了有企業倒閉 ， 收并購事件發生頻率更高 ， 2024年的第三代半導體產業收并購案例大部分都涉及氮化鎵相關業務 ， 包括BluGlass、思瑞浦、PI、瑞薩電子、格芯、MACOM等 ， 即使是頭部企業 ， 也避免不了被并購的命運 ， 例如歐洲氮化鎵汽車半導體代工廠BelGaN申請破產后 ， 擬被歐洲競標者收購 。

根據TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示 ， 預估2030年全球氮化鎵功率器件市場規模有望上升至43.76億美元 。 得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性 ， 氮化鎵技術近年來迅速滲透進入消費電子市場 ， 具體而言 ， 氮化鎵已經在低功率的手機快速充電器中被大規模采用 ， 并正在向可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源產品延伸 。
在低壓、低功率快充市場被大規模采用后 ， 氮化鎵瞄準了高壓、高功率應用市場 ， 但目前進展較緩 ， 不如預期 ， 這就導致部分廠商經營狀況不佳 。 其中 ， 美國一家同樣押注垂直GaN技術的企業NexGen Power Systems已在2023年圣誕節前夕倒閉 。
此外 ， 成本、供應鏈成熟度等問題在一定程度上制約了氮化鎵產業規模在短期內的爆發 。 盡管部分廠商嘗試降低氮化鎵功率器件的制造成本 ， 但整體成本仍然較高；氮化鎵的供應鏈生態和產能、技術仍不夠成熟 ， 面對新能源汽車、AI數據中心、機器人等應用場景 ， 氮化鎵的供應鏈成熟度和技術可靠性仍有待提升 。
氮化鎵市場體量較小 ， 短期內的發展阻力卻較大 ， 有限的資源將更多流向重磅玩家 ， 行業內玩家破產倒閉 ， 產業并購整合自然也就不稀奇了 。
*聲明：本文系原作者創作 。 文章內容系其個人觀點 ， 我方轉載僅為分享與討論 ， 不代表我方贊成或認同 ， 如有異議 ， 請聯系后臺 。
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